[发明专利]图像传感装置的形成方法

说明书

提供图像传感装置的形成方法。方法包括提供基板。基板具有正面与背面，且基板具有光接收区与装置区。方法包括分别形成第一晶体管与第一源极/漏极结构于光接收区与装置区中。第一晶体管包括第一栅极结构、光传感结构、与第二源极/漏极结构，第一栅极结构位于正面上，光传感结构与第二源极/漏极结构形成于基板中且分别位于第一栅极结构的两侧，第一源极/漏极结构形成于基板中，且第一源极/漏极结构电性连接至第二源极/漏极结构。方法包括形成光阻挡层于背面上。

技术领域

本公开实施例涉及图像传感装置，更特别涉及避免入射光影响装置区的结构及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路产业已经历快速生长。集成电路材料与设计的技术进步，使每一代的集成电路比前一代的集成电路更小且电路更复杂。新一代的集成电路具有较大的功能密度(比如固定芯片面积中的内连线装置数目)，与较小的几何尺寸(比如工艺形成的最小构件)。这些进展会增加集成电路工艺的复杂度。为达成上述进展，集成电路工艺需类似发展。

除了减少几何尺寸以达上述优点之外，可直接改进集成电路装置。这种集成电路装置之一为图像传感装置。图像传感装置包含像素阵列(或格状物)，其用于检测光并记录检测到的光强度(亮度)。像素阵列可累积电荷以对应光强度。光强度越高，则像素阵列中累积的电荷越多。接着以累积电荷提供图像信息(其提供方式可通过其他电路)，以用于适当应用(如数码相机)。

然而结构尺寸持续缩小，因此越来越难进行工艺。如此一来，如何形成可信且越来越小的图像传感装置为一大挑战。

发明内容

本公开一实施例提供的图像传感装置的形成方法，包括：提供基板，其中基板具有正面与背面，且基板具有光接收区与装置区；分别形成第一晶体管与第一源极/漏极结构于光接收区与装置区中，其中第一晶体管包括第一栅极结构、光传感结构、与第二源极/漏极结构，第一栅极结构位于正面上，光传感结构与第二源极/漏极结构形成于基板中且分别位于第一栅极结构的两侧，第一源极/漏极结构形成于基板中，且第一源极/漏极结构电性连接至第二源极/漏极结构；以及形成光阻挡层于背面上，其中光阻挡层覆盖整个第一源极/漏极结构。

附图说明

图1A至图1E是一些实施例中，用于形成图像传感装置的工艺其多种阶段的俯视图。

图1A-1是一些实施例中，图像传感装置沿着图1A中剖线I-I’的剖视图。

图1A-2是一些实施例中，图像传感装置沿着图1A中剖线II-II’的剖视图。

图1A-3是一些实施例中，图像传感装置沿着图1A中剖线III-III’的剖视图。

图1B-1是一些实施例中，图像传感装置沿着图1B中剖线I-I’的剖视图。

图1B-2是一些实施例中，图像传感装置沿着图1B中剖线II-II’的剖视图。

图1C-1是一些实施例中，图像传感装置沿着图1C中剖线I-I’的剖视图。

图1D-1是一些实施例中，图像传感装置沿着图1D中剖线I-I’的剖视图。

图1E-1是一些实施例中，图像传感装置沿着图1E中剖线I-I’的剖视图。

图2是一些实施例中，图像传感装置的剖视图。

图3是一些实施例中，图像传感装置的剖视图。

图4是一些实施例中，图像传感装置的剖视图。

附图标记说明：

D1、D2 深度

D3、D4 距离

I-I’、II-II’、III-III’ 剖线