[发明专利]微结构制样方法有效
| 申请号： | 201810134165.6 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108398302B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 张雨田 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种微结构制样方法，包含：第一步，将芯片样品打磨至接触孔层露出；第二步，用双氧水加热去除接触孔层中的金属钨；第三步，去除层间介质；第四步，在目标浮栅和控制栅的背后钻两个深孔；第五步，刻蚀目标浮栅及控制栅上方的氮化硅，并在目标浮栅及控制栅上钻一个深孔；第六步，用铂在目标浮栅及控制栅上进行覆盖，覆盖完成后将目标控制栅与整条控制栅之间切断隔离，再去除其余全部结构；第七步，观察暴露出的浮栅尖角。本发明将要观察的浮栅固定在样品表面，而将其余不需要的部分移除，使用打孔后再淀积铂的方法用于固定原本会被腐蚀脱离的结构，以便保留此结构供观察。 | ||
| 搜索关键词： | 微结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微结构制样方法，其特征在于：包含：第一步，将芯片样品打磨至接触孔层露出；第二步，用双氧水加热去除接触孔层中的金属钨；第三步，去除层间介质；第四步，在目标浮栅和控制栅的背后钻两个深孔；第五步，刻蚀目标浮栅及控制栅上方的氮化硅，并在目标浮栅及控制栅上钻一个孔；第六步，用金属铂在目标浮栅及控制栅上进行覆盖，覆盖完成后将目标控制栅与整条控制栅之间切断隔离，再去除其余全部结构；第七步，观察已经完整暴露出的浮栅尖角。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810134165.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
