[发明专利]一种氮化硅烧结体及其制备方法有效
| 申请号： | 201810124290.9 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN110117192B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 刘学建;王鲁杰;杨晓;张辉;姚秀敏;黄政仁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/645;C04B35/80 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;熊子君 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化硅烧结体及其制备方法，氮化硅烧结体主要由氮化硅结晶、以及弥散分布于所述氮化硅结晶之间的金属第二相组成，其中，所述金属第二相的主要成分包括以钨和/或铼为主要成分的金属单质和/或合金。通过在氮化硅中引入具有非脆性断裂和耐高温特性的金属钨和/或铼的单质和/或合金，使氮化硅烧结体在常温和高温下均具有优异的力学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 烧结 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化硅烧结体，其特征在于，主要由氮化硅结晶、以及弥散分布于所述氮化硅结晶之间的金属第二相组成，其中，所述金属第二相的主要成分包括以钨和/或铼为主要成分的金属单质和/或合金。
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