[发明专利]氮化物半导体器件在审
| 申请号： | 201810123384.4 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN108470767A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 渡部敦;上田博之;森朋彦 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体器件，具备半导体衬底、源电极、漏电极以及隔着栅极绝缘膜设置于半导体衬底上的栅电极。半导体衬底具有由GaN构成的第一部分以及由AlxGa(1‑X)N(0＜x≤1)构成的第二部分。第一部分具有：n型源区，与源电极接触；n型漏区，与漏电极接触；p型体区，介于源区与漏区之间并且与源电极接触；以及n型漂移区，介于体区与漏区之间并且载流子浓度低于漏区。第二部分具有势垒区，该势垒区与源电极、体区以及漂移区分别接触。 | ||
| 搜索关键词： | 源电极 衬底 漏区 氮化物半导体器件 半导体 漏电极 势垒区 体区 载流子 栅极绝缘膜 漂移区 栅电极 源区 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具备：半导体衬底，所述半导体衬底包含氮化物半导体；源电极及漏电极，所述源电极及漏电极分别设置于所述半导体衬底上；以及栅电极，所述栅电极隔着栅极绝缘膜设置于所述半导体衬底上，所述半导体衬底具有由GaN构成的第一部分以及由AlxGa(1‑X)N(0＜x≤1)构成的第二部分，所述第一部分具有：n型源区，所述n型源区与所述源电极接触；n型漏区，所述n型漏区与所述漏电极接触；p型体区，所述p型体区介于所述源区与所述漏区之间并且与所述源电极接触；以及n型漂移区，所述n型漂移区介于所述体区与所述漏区之间并且载流子浓度低于所述漏区，所述第二部分具有势垒区，所述势垒区与所述源电极、所述体区以及所述漂移区分别接触。
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