[发明专利]氮化物半导体器件在审
| 申请号： | 201810123384.4 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN108470767A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 渡部敦;上田博之;森朋彦 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源电极 衬底 漏区 氮化物半导体器件 半导体 漏电极 势垒区 体区 载流子 栅极绝缘膜 漂移区 栅电极 源区 | ||
1.一种半导体器件，具备：
半导体衬底，所述半导体衬底包含氮化物半导体；
源电极及漏电极，所述源电极及漏电极分别设置于所述半导体衬底上；以及
栅电极，所述栅电极隔着栅极绝缘膜设置于所述半导体衬底上，
所述半导体衬底具有由GaN构成的第一部分以及由AlxGa(1-X)N(0＜x≤1)构成的第二部分，
所述第一部分具有：
n型源区，所述n型源区与所述源电极接触；
n型漏区，所述n型漏区与所述漏电极接触；
p型体区，所述p型体区介于所述源区与所述漏区之间并且与所述源电极接触；以及
n型漂移区，所述n型漂移区介于所述体区与所述漏区之间并且载流子浓度低于所述漏区，
所述第二部分具有势垒区，所述势垒区与所述源电极、所述体区以及所述漂移区分别接触。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述AlxGa(1-X)N为AlN。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，
所述半导体衬底具有第一表面，所述源区、所述体区以及所述漂移区分别在所述第一表面处露出，
所述栅电极隔着所述栅极绝缘膜面向所述第一表面上的在所述源区与所述漂移区之间扩展的所述体区。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，
所述半导体衬底进一步具有第二表面，所述第二表面位于所述第一表面的相反侧，并且所述漏区在所述第二表面处露出，
所述源电极设置于所述第一表面上，所述漏电极设置于所述第二表面上。
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