[发明专利]用于串扰减少的像素阵列和高动态范围图像传感器阵列有效
| 申请号: | 201810121152.5 | 申请日: | 2018-02-07 | 
| 公开(公告)号: | CN108695347B | 公开(公告)日: | 2019-08-27 | 
| 发明(设计)人: | 渡辺一史;熊志伟;戴森·H·戴;林赛·格朗 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 | 
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘媛媛 | 
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US | 
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| 摘要: | 本发明涉及高动态范围图像传感器的串扰减少。多色彩HDR图像传感器至少包含具有第一彩色滤光器的第一组合色彩像素以及具有不同于所述第一彩色滤光器的第二彩色滤光器的邻近第二组合色彩像素,其中每一组合色彩像素包含具有至少两个邻近光电二极管的至少两个子像素。在每一组合色彩像素内,存在用以将具有相同彩色滤光器的两个邻近子像素的两个邻近光电二极管隔离的介电深沟槽隔离d‑DTI结构以便防止电串扰。在具有不同彩色滤光器的两个邻近组合色彩像素之间,存在用以将具有不同彩色滤光器的两个邻近子像素的两个邻近光电二极管隔离的混合深沟槽隔离h‑DTI结构以便防止光学串扰及电串扰两者。每一组合色彩像素在所有侧上由所述混合深沟槽隔离h‑DTI结构围封。 | ||
| 搜索关键词: | 彩色滤光器 像素 组合色彩 邻近 光电二极管 深沟槽隔离 传感器 高动态范围图像 邻近子像素 串扰减少 电串扰 隔离 光学串扰 多色彩 介电 围封 | ||
【主权项】:
                1.一种像素阵列,其在半导体材料的第一侧与第二侧之间安置在所述半导体材料中,所述像素阵列包括:多个第一组合像素、第二组合像素、介电深沟槽隔离d‑DTI结构及混合深沟槽隔离h‑DTI结构;其中所述第一组合像素中的每一者包含经配置以接收来自所述半导体材料的所述第一侧的第一波长的光的至少两个邻近第一光敏元件,其中所述两个邻近第一光敏元件通过所述d‑DTI结构中的一者而分离;其中所述第二组合像素中的每一者包含经配置以接收来自所述半导体材料的所述第一侧的第二波长的光的至少两个邻近第二光敏元件,其中所述两个邻近第二光敏元件通过所述d‑DTI结构中的一者而分离;其中所述第一组合像素中的至少一者邻近于所述第二组合像素中的至少一者;其中所述h‑DTI结构中的至少一者安置在所述第一组合像素与所述第二组合像素之间;且其中所述h‑DTI结构中的每一者包括浅部分和深部分,其中所述浅部分包含比所述深部分宽的金属区域。
            
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
                
            H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





