[发明专利]用于串扰减少的像素阵列和高动态范围图像传感器阵列

权利要求书

1.一种像素阵列，其在半导体材料的第一侧与第二侧之间安置在所述半导体材料中，所述像素阵列包括：多个第一组合像素、第二组合像素、介电深沟槽隔离d-DTI结构及混合深沟槽隔离h-DTI结构；

其中所述第一组合像素中的每一者包含经配置以接收来自所述半导体材料的所述第一侧的第一波长的光的至少两个邻近第一光敏元件，其中所述两个邻近第一光敏元件通过所述d-DTI结构中的一者而分离；

其中所述第二组合像素中的每一者包含经配置以接收来自所述半导体材料的所述第一侧的第二波长的光的至少两个邻近第二光敏元件，其中所述两个邻近第二光敏元件通过所述d-DTI结构中的一者而分离；

其中所述第一组合像素中的至少一者邻近于所述第二组合像素中的至少一者；

其中所述h-DTI结构中的至少一者安置在所述第一组合像素与所述第二组合像素之间；且

其中所述h-DTI结构中的每一者包括浅部分和深部分，其中所述浅部分包含比所述深部分宽的金属区域。

2.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述第一组合像素及所述第二组合像素中的每一者在所有侧上由所述h-DTI结构围封。

3.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述浅部分从所述半导体材料的所述第一侧朝向所述第二侧延伸，且包含介电区域及所述金属区域，使得所述介电区域的至少部分安置在所述半导体材料与所述金属区域之间；且

其中所述深部分从所述浅部分延伸且安置在所述浅部分与所述半导体材料的所述第二侧之间。

4.根据权利要求3所述的像素阵列，其中所述浅部分从所述半导体材料的所述第一侧朝向所述深部分成锥形，使得接近于所述第一侧的所述浅部分的宽度大于接近于所述第二侧的所述深部分的宽度。

5.根据权利要求3所述的像素阵列，其中所述金属区域的至少部分比所述深部分宽。

6.根据权利要求3所述的像素阵列，其中每一h-DTI结构的所述深部分包含介电材料。

7.根据权利要求6所述的像素阵列，其中每一h-DTI结构中的所述浅部分的所述介电区域包含所述介电材料。

8.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述第一波长不同于所述第二波长。

9.一种高动态范围图像传感器像素阵列，其在半导体材料的第一侧与第二侧之间安置在所述半导体材料中，所述高动态范围图像传感器像素阵列包括：多个第一组合像素、第二组合像素、d-DTI结构及h-DTI结构；

其中所述第一组合像素中的每一者包含经配置以接收来自所述半导体材料的所述第一侧的第一波长的光的至少两个邻近第一光电二极管，其中所述两个邻近第一光电二极管通过所述d-DTI结构中的一者而分离，且每一第一光电二极管通过第一转移栅极而耦合到第一浮动扩散部，其中所述第一浮动扩散部在所述至少两个邻近第一光电二极管之间被共享；

其中所述第二组合像素中的每一者包含经配置以接收来自所述半导体材料的所述第一侧的第二波长的光的至少两个邻近第二光电二极管，其中所述两个邻近第二光电二极管通过所述d-DTI结构中的一者而分离，且每一第二光电二极管通过第二转移栅极而耦合到第二浮动扩散部，其中所述第二浮动扩散部在所述至少两个邻近第二光电二极管之间被共享；

其中所述第一组合像素中的至少一者邻近于所述第二组合像素中的至少一者；

其中所述h-DTI结构中的至少一者安置在所述第一组合像素与所述第二组合像素之间；且

其中h-DTI结构中的每一者包括浅部分和深部分，其中所述浅部分包含比所述深部分宽的金属区域。

10.根据权利要求9所述的高动态范围图像传感器像素阵列，其中所述第一组合像素及所述第二组合像素中的每一者在所有侧上由所述h-DTI结构围封。