[发明专利]三维闪存器件的制造方法

摘要

本发明涉及以可防止泄漏电流的增加并维持记录保存性的方式对三维垂直闪存器件进行高压氢热处理及湿式热处理的三维闪存器件的制造方法，本发明包括：以多层的方式在基板上层叠导电层和绝缘层来形成层叠膜的步骤；在上述层叠膜形成蚀刻孔的步骤；去除上述导电层并形成闭塞绝缘膜的步骤；对上述闭塞绝缘膜执行湿式高压热处理的步骤；在上述闭塞绝缘膜上形成电荷储存膜的步骤；在上述电荷储存膜上形成隧道绝缘膜的步骤；沿着上述蚀刻孔形成通道的步骤；以及在上述隧道绝缘膜内形成栅极电极的步骤，在本发明中，对上述闭塞绝缘膜、电荷储存膜、隧道绝缘膜执行高压氢热处理，从而可防止泄露电流的增加所引起的问题，可改善通道的移动性。

主权项

1.一种三维闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：以多层的方式在基板上层叠导电层和绝缘层来形成层叠膜的步骤；在上述层叠膜形成蚀刻孔的步骤；去除上述导电层并形成闭塞绝缘膜的步骤；对上述闭塞绝缘膜执行湿式高压热处理的步骤；在上述闭塞绝缘膜上形成电荷储存膜的步骤；在上述电荷储存膜上形成隧道绝缘膜的步骤；沿着上述蚀刻孔形成通道的步骤；以及在上述隧道绝缘膜内形成栅极电极的步骤，对隧道绝缘膜与通道的界面执行高压氢热处理。