[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201810103027.1 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108461582B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/12;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：在蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、第一插入层、未掺杂氮化镓层、第二插入层、N型氮化镓层、第三插入层、多量子阱层和P型氮化镓层；第一插入层、第二插入层、第三插入层为铝镓氮层；第一插入层的厚度小于缓冲层的厚度，且第一插入层的生长温度高于缓冲层的生长温度；第二插入层的厚度小于未掺杂氮化镓层的厚度，且第二插入层的生长温度高于未掺杂氮化镓层的生长温度；第三插入层的厚度小于N型氮化镓层的厚度，且第三插入层的生长温度高于N型氮化镓层的生长温度。本发明可提高发光二极管的发光效率和抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 插入层 生长 发光二极管外延 未掺杂氮化镓层 缓冲层 半导体技术领域 多量子阱层 发光二极管 抗静电能力 发光效率 铝镓氮层 蓝宝石 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：在蓝宝石衬底上生长缓冲层，并在所述缓冲层上生长第一插入层；在所述第一插入层上生长未掺杂氮化镓层，并在所述未掺杂氮化镓层上生长第二插入层；在所述第二插入层上生长N型氮化镓层，并在所述N型氮化镓层上生长第三插入层；在所述第三插入层上生长多量子阱层；在所述多量子阱层上生长P型氮化镓层；其中，所述第一插入层、所述第二插入层、所述第三插入层为铝镓氮层；所述第一插入层的厚度小于所述缓冲层的厚度，且所述第一插入层的生长温度高于所述缓冲层的生长温度；所述第二插入层的厚度小于所述未掺杂氮化镓层的厚度，且所述第二插入层的生长温度高于所述未掺杂氮化镓层的生长温度；所述第三插入层的厚度小于所述N型氮化镓层的厚度，且所述第三插入层的生长温度高于所述N型氮化镓层的生长温度。
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