[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片

权利要求书

1.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：

在蓝宝石衬底上生长缓冲层，并在所述缓冲层上生长第一插入层；

在所述第一插入层上生长未掺杂氮化镓层，并在所述未掺杂氮化镓层上生长第二插入层；

在所述第二插入层上生长N型氮化镓层，并在所述N型氮化镓层上生长第三插入层；

在所述第三插入层上生长多量子阱层；

在所述多量子阱层上生长P型氮化镓层；

其中，所述第一插入层、所述第二插入层、所述第三插入层为铝镓氮层；所述第一插入层的厚度小于所述缓冲层的厚度，且所述第一插入层的生长温度高于所述缓冲层的生长温度；所述第二插入层的厚度小于所述未掺杂氮化镓层的厚度，且所述第二插入层的生长温度高于所述未掺杂氮化镓层的生长温度；所述第三插入层的厚度小于所述N型氮化镓层的厚度，且所述第三插入层的生长温度高于所述N型氮化镓层的生长温度。

2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述第一插入层的生长温度比所述缓冲层的生长温度高5℃～30℃，所述第二插入层的生长温度比所述未掺杂氮化镓层的生长温度高5℃～30℃，所述第三插入层的生长温度比所述N型氮化镓层的生长温度高5℃～30℃。

3.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第一插入层的厚度为所述缓冲层的厚度的1/10～1/5，所述第二插入层的厚度为所述未掺杂氮化镓层的厚度的1/10～1/5，所述第三插入层的厚度为所述N型氮化镓层的厚度的1/10～1/5。

4.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第一插入层的生长速率快于所述缓冲层的生长速率，所述第二插入层的生长速率快于所述未掺杂氮化镓层的生长速率，所述第三插入层的生长速率快于所述N型氮化镓层的生长速率。

5.根据权利要求4所述的生长方法，其特征在于，所述第一插入层的生长速率为所述缓冲层的生长速率的2倍～5倍，所述第二插入层的生长速率为所述未掺杂氮化镓层的生长速率的2倍～5倍，所述第三插入层的生长速率为所述N型氮化镓层的生长速率的2倍～5倍。

6.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第一插入层中铝组分的含量大于所述第二插入层中铝组分的含量，所述第二插入层中铝组分的含量大于所述第三插入层中铝组分的含量。

7.根据权利要求6所述的生长方法，其特征在于，所述第二插入层中铝组分的含量为所述第一插入层中铝组分的含量的1/2，所述第三插入层中铝组分的含量为所述第二插入层中铝组分的含量的1/2。

8.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，所述缓冲层、所述未掺杂氮化镓层、所述N型氮化镓层、所述多量子阱层和所述P型氮化镓层依次层叠在所述蓝宝石衬底上，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括第一插入层、第二插入层和第三插入层，所述第一插入层设置在所述缓冲层和所述未掺杂氮化镓层之间，所述第二插入层设置在所述未掺杂氮化镓层和所述N型氮化镓层之间，所述第三插入层设置在所述N型氮化镓层和所述多量子阱层之间；所述第一插入层、所述第二插入层、所述第三插入层为铝镓氮层；所述第一插入层的厚度小于所述缓冲层的厚度，且所述第一插入层的生长温度高于所述缓冲层的生长温度；所述第二插入层的厚度小于所述未掺杂氮化镓层的厚度，且所述第二插入层的生长温度高于所述未掺杂氮化镓层的生长温度；所述第三插入层的厚度小于所述N型氮化镓层的厚度，且所述第三插入层的生长温度高于所述N型氮化镓层的生长温度。

9.根据权利要求8所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一插入层的厚度为所述缓冲层的厚度的1/10～1/5，所述第二插入层的厚度为所述未掺杂氮化镓层的厚度的1/10～1/5，所述第三插入层的厚度为所述N型氮化镓层的厚度的1/10～1/5。

10.根据权利要求8或9所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一插入层中铝组分的含量大于所述第二插入层中铝组分的含量，所述第二插入层中铝组分的含量大于所述第三插入层中铝组分的含量。