[发明专利]可抑制压电谐振的光学电压/电场传感器晶片的制作方法在审
| 申请号： | 201810095311.9 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108428788A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 曾嵘;庄池杰;汪海;余占清;王博 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L41/33 | 分类号： | H01L41/33;H01L41/338 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可抑制压电谐振的光学电压/电场传感器晶片的制作方法，属于光学电压/电场传感器技术领域。本发明方法的一种实现方式是通过将晶片宽度取设定范围的值时，从而将由该晶片构成的光学电压/电场传感器的谐振基频转移到需要测量的频率范围以外；本发明方法的另一种实现方式是将所述晶片宽度配置为渐变，用以分散由该晶片构成的光学电压/电场传感器的谐振能量。通过本发明制得的晶片构成的光学电压/电场传感器均有效抑制了设定电场频率条件下的压电谐振现象，且操作简单，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 电场传感器 晶片 光学电压 压电谐振 电场频率 宽度配置 谐振基频 谐振能量 有效抑制 渐变 制作 测量 | ||
【主权项】：
1.一种可抑制压电谐振的光学电压/电场传感器晶片的制作方法，所述光学电压/电场传感器用于电场频率为fmin～fmax的电压/电场测量，所述晶片的宽度方向垂直于光源传输方向；其特征在于，该方法包括以下步骤：S1：选择一块与待制作晶片材质相同的平行四边形试验晶片，该试验晶片的宽度为W0；S2：对试验晶片进行电场频率范围为fmin～fmax的电场频率响应测试，测得该试验晶片的压电谐振基频为f0，且满足fmin![]()
S4：按照计算的宽度W制作平行四边形晶片，用于构成可抑制设定电场频率fmin～fmax条件下的压电谐振的光学电压/电场传感器。
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