[发明专利]可抑制压电谐振的光学电压/电场传感器晶片的制作方法

权利要求书

1.一种可抑制压电谐振的光学电压/电场传感器晶片的制作方法，所述光学电压/电场传感器用于电场频率为f_min～f_max的电压/电场测量，所述晶片的宽度方向垂直于光源传输方向；其特征在于，该方法包括以下步骤：

S1：选择一块与待制作晶片材质相同的平行四边形试验晶片，该试验晶片的宽度为W₀；

S2：对试验晶片进行电场频率范围为f_min～f_max的电场频率响应测试，测得该试验晶片的压电谐振基频为f₀，且满足f_min<f₀<f_max；

S3：在不影响晶片通光的条件下，按照以下公式计算待制作晶片的宽度W：

或

S4：按照计算的宽度W制作平行四边形晶片，用于构成可抑制设定电场频率f_min～f_max条件下的压电谐振的光学电压/电场传感器。

2.一种可抑制压电谐振的光学电压/电场传感器晶片的制作方法，所述光学电压/电场传感器用于电场频率为f_min～f_max的电压/电场测量，所述晶片的宽度方向垂直于光源传输方向；其特征在于，该方法包括以下步骤：

S1：选择一块与待制作晶片材质相同的平行四边形试验晶片，该试验晶片的宽度为W₀；

S2：对试验晶片进行电场频率范围为f_min～f_max的电场频率响应测试，测得该晶片的压电谐振基频为f₀，且满足f_min<f₀<f_max；

S3：另选一块与试验晶片材质相同的平行四边形晶片，在不影响晶片通光的条件下，在该晶片宽度所在对边上各任取一点进行斜切割，得到两个梯形晶片，其中一个梯形晶片的底宽为W₁、顶宽为W₂，且满足W₁>W₂；利用该梯形晶片构成的光学电压/电场传感器，用于将平行四边形晶片谐振基频f₀所对应的谐振能量分散到宽度W₁～W₂的频率范围所对应的谐振能量内，实现电场频率范围f_min～f_max下光学电压/电场传感器的压电谐振抑制。