[发明专利]积层配线构造体及积层配线构造体的制造方法、以及半导体装置

摘要

本发明涉及一种积层配线构造体及积层配线构造体的制造方法、以及半导体装置。实施方式的积层配线构造体具备：第1积层部，将第1导电体与第1绝缘体交替地积层，且包含具有存储单元的第1区域、以及与第1区域不同的第2区域；多个第1接触插塞，在第2区域内，形成在从第1积层部的最上层分别到达至第1导电体的多个第1孔内，且侧面被第1绝缘膜覆盖；以及多个支柱，在第2区域内，在第1积层部的积层方向上穿过第1积层部内，且由第2绝缘体形成。

主权项

1.一种积层配线构造体，其特征在于具备：第1积层部，将第1导电体与第1绝缘体交替地积层，且包含具有存储单元的第1区域、以及与所述第1区域不同的第2区域；多个第1接触插塞，在第2区域内，形成在从所述第1积层部的最上层分别到达至所述第1导电体的多个第1孔内，且侧面被第1绝缘膜覆盖；以及多个支柱，在所述第2区域内，在所述第1积层部的积层方向上穿过所述第1积层部内，且由第2绝缘体形成。