[发明专利]C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料、相变存储器单元及其制备方法在审
| 申请号： | 201810088435.4 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN110098322A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;朱敏;陈鑫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种C掺杂Sc‑Sb‑Te相变存储材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Sc‑Sb‑Te相变存储材料为Sc‑Sb2Te3相变存储材料，所述C掺杂Sc‑Sb‑Te相变存储材料中，C的原子百分比为1%~40%。本发明通过对Sc‑Sb2Te3进行C掺杂，由于C是一种低热导的材料，可以很好的防止热扩散，且C的良好导电性保证了材料良好的导通，本发明的C掺杂Sc‑Sb2Te3相变材料在外部能量的作用下，能够实现高电阻态与低电阻态之间的可逆转变，高低阻态的阻值比可达两个数量级；其作为相变存储器的存储介质时，相变存储单元不仅具有相变速度快、写操作电流低等优点，而且器件的高温数据保持力及可靠性有了极大的提高；采用本发明相变存储器单元结构的相变存储器具有高速、低功耗、良好数据保持力等优越性。 | ||
| 搜索关键词： | 相变存储材料 掺杂 相变存储器单元 数据保持力 相变存储器 制备 相变存储单元 导电性 写操作电流 原子百分比 低热 存储介质 低电阻态 高电阻态 个数量级 可逆转变 外部能量 相变材料 低功耗 热扩散 导通 阻态 保证 | ||
【主权项】：
1.一种C掺杂Sc‑Sb‑Te相变存储材料，其特征在于，所述Sc‑Sb‑Te相变存储材料为Sc‑Sb2Te3相变存储材料，所述C掺杂Sc‑Sb‑Te相变存储材料中，C的原子百分比为1％～40％。
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