[发明专利]C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料、相变存储器单元及其制备方法

权利要求书

1.一种C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料，其特征在于，所述Sc-Sb-Te相变存储材料为Sc-Sb₂Te₃相变存储材料，所述C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料中，C的原子百分比为1％～40％。

2.根据权利要求1所述的C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料，其特征在于，所述C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料中，C的原子百分比为5％～15％。

3.根据权利要求1或2所述的C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料，其特征在于，所述Sc-Sb₂Te₃相变材料中，Sc的原子百分比为1％～10％。

4.根据权利要求3所述的C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料，其特征在于，所述Sc-Sb₂Te₃相变材料中，Sc的原子百分比为3％～5％。

5.根据权利要求1所述的C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料，其特征在于，所述C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料中，C与Sc成键结合后共同构成所述C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料的成核中心。

6.根据权利要求1所述的C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料，其特征在于，所述C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料在外部能量的作用下可实现高电阻态与低电阻态之间的可逆转变，且高电阻态与低电阻态的阻值比不小于两个数量级。

7.一种C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料的制备方法，其特征在于，采用溅射法、蒸发法、化学气相沉积法、等离子增强化学气相沉积法、低压化学气相沉积法、金属化合物气相沉积法、分子束外延法、原子气相沉积法或原子层沉积法制备如权利要求1至6中任一项所述的C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料。

8.根据权利要求7所述的C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料的制备方法，其特征在于，在氩气气氛下，采用Sb₂Te₃合金靶、Sc单质靶及C单质靶共溅射制备所述C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料。

9.根据权利要求7所述的C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料的制备方法，其特征在于，在氩气气氛下，采用Sc-Sb₂Te₃合金靶及C靶共溅射制备所述C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料。

10.根据权利要求9所述的C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料的制备方法，其特征在于，所述Sc-Sb₂Te₃合金靶及所述C靶均采用射频电源，在共溅射的过程中，通过调节所述射频电源的射频功率调节所述C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料中C的原子百分比。

11.一种相变存储器单元，其特征在于，所述相变存储器单元包括：

如权利要求1至6中任一项所述的C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料构成的相变材料层；

下电极层，位于所述相变材料层的下表面；

上电极层，位于所述相变材料层的上表面。