[发明专利]基本规则区域中的完全对准的过孔有效
| 申请号： | 201810082869.3 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109524348B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | N·V·利考西;张洵渊 | 申请（专利权）人： | 格芯美国公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及基本规则区域中的完全对准的过孔。本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及完全对准的过孔结构及其制造方法。该结构包括：在电介质材料中形成的多个最小基本规则导电结构，所述多个最小基本规则导电结构中的每一者包括在其中的凹陷的导电材料；在所述电介质材料中形成的至少一个导电结构，所述导电结构比所述多个最小基本规则导电结构宽；位于所述电介质层的表面上方的蚀刻停止层，所述电介质层具有开口以暴露所述至少一个导电结构的导电材料和选择的最小基本规则导电结构的所述凹陷的导电材料；以及上部导电材料，其通过所述蚀刻停止层的所述开口与所述至少一个导电结构和所述选择的最小基本规则导电结构完全对准并直接电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 基本 规则 区域 中的 完全 对准 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：在电介质材料中形成的多个最小基本规则导电结构，所述多个最小基本规则导电结构中的每一者包括在其中的凹陷的导电材料；在所述电介质材料中形成的至少一个导电结构，所述导电结构比所述多个最小基本规则导电结构宽；位于所述电介质层的表面上方的蚀刻停止层，所述电介质层具有开口以暴露所述至少一个导电结构的导电材料和选择的最小基本规则导电结构的所述凹陷的导电材料；以及上部导电材料，其通过所述蚀刻停止层的所述开口与所述至少一个导电结构和所述选择的最小基本规则导电结构完全对准并直接电接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
