[发明专利]基本规则区域中的完全对准的过孔

说明书

本发明涉及基本规则区域中的完全对准的过孔。本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及完全对准的过孔结构及其制造方法。该结构包括：在电介质材料中形成的多个最小基本规则导电结构，所述多个最小基本规则导电结构中的每一者包括在其中的凹陷的导电材料；在所述电介质材料中形成的至少一个导电结构，所述导电结构比所述多个最小基本规则导电结构宽；位于所述电介质层的表面上方的蚀刻停止层，所述电介质层具有开口以暴露所述至少一个导电结构的导电材料和选择的最小基本规则导电结构的所述凹陷的导电材料；以及上部导电材料，其通过所述蚀刻停止层的所述开口与所述至少一个导电结构和所述选择的最小基本规则导电结构完全对准并直接电接触。

技术领域

本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及完全对准的过孔结构及其制造方法。

背景技术

在先进的技术节点中，布线结构变得越来越小，其中最小的基本规则(groundrule)达到10nm或更小的特征尺寸。在集成电路中，不同布线层上的布线结构可以通过完全对准的过孔互连。完全对准的过孔提供了直接落着在具有最小基本规则的布线结构以及较大尺寸特征上的益处。

在目前的制造工艺中，完全对准的过孔以相同的方式形成以访问具有最小基本规则的布线结构和较大尺寸特征两者。这导致较大尺寸特征内的导体材料的体积减小，从而增加了其整体电阻。

发明内容

在本公开的一方面，一种结构包括：在电介质材料中形成的多个最小基本规则导电结构，所述多个最小基本规则导电结构中的每一者包括在其中的凹陷的导电材料；在所述电介质材料中形成的至少一个导电结构，所述导电结构比所述多个最小基本规则导电结构宽；位于所述电介质层的表面上方的蚀刻停止层，所述电介质层具有开口以暴露所述至少一个导电结构的导电材料和选择的最小基本规则导电结构的所述凹陷的导电材料；以及上部导电材料，其通过所述蚀刻停止层的所述开口与所述至少一个导电结构和所述选择的最小基本规则导电结构完全对准并直接电接触。

在本公开的一方面，一种结构包括：多个最小基本规则结构，所述最小基本规则结构中的每一者包括凹陷的导电材料并且在其间具有最小绝缘体间隔；至少一个布线结构，其具有比所述多个最小基本规则结构大的尺寸，所述至少一个布线结构包括衬里材料和与所述凹陷的导电材料不同的导电材料；以及上部互连结构，其与选择的最小基本规则结构和所述至少一个布线结构完全对准并直接电接触。

在本公开的一方面，一种方法包括：沉积第一导电材料以填充最小特征尺寸的沟槽，导致布线结构和具有与所述最小特征尺寸相比的较大宽度的另一布线结构；使用于所述布线结构的所述第一导电材料凹陷；形成与所述布线结构中选择的一个和具有所述较大宽度的所述另一布线结构完全对准的过孔；以及将导电材料沉积在所述完全对准的过孔中以与所述凹陷的第一导电材料和具有所述较大宽度的所述布线结构的导电材料电接触。

附图说明

通过本公开的示例性实施例的非限制性实例并参考所述多个附图，在以下详细描述中描述本公开。

图1示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的具有包括备选(alternative)金属材料的最小宽度特征和较宽特征的结构以及相应的制造工艺。

图2示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的具有备选金属材料的最小宽度特征和具有导电材料填充的较宽特征以及相应的制造工艺。

图3示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的在最小宽度特征之内凹陷的备选金属材料以及相应的制造工艺。

图4示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的与选择的最小宽度特征和较宽特征电接触的完全对准的过孔结构以及相应的制造工艺。

图5-8示出了根据本公开的附加方面的除了其他特征之外的具有最小宽度特征和较宽特征的结构以及相应的制造工艺。

具体实施方式