[发明专利]一种UV-LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810078010.5 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108288662A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 马后永;游正璋 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种UV‑LED外延结构及其制备方法，其外延结构包括：衬底；位于所述衬底上的底层外延层；以及，位于所述底层外延层上且自下至上层叠的第一类型外延层、量子阱结构层和第二类型外延层，且所述底层外延层的吸收波长短于所述量子阱结构层的发光波长。因所述底层外延层的吸收波长短于量子阱结构层的发光波长，则形成的UV‑LED外延结构能够避免材料本身对紫外波段的吸收，提高UV‑LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 量子阱结构层 发光波长 外延结构 衬底 制备 吸收 发光效率 紫外波段 | ||
【主权项】：
1.一种UV‑LED外延结构，其特征在于，包括：衬底；底层外延层，位于所述衬底上；第一类型外延层，位于所述底层外延层上；量子阱结构层，位于所述第一类型外延层上；第二类型外延层，位于所述量子阱结构层上；其中，所述底层外延层的吸收波长短于所述量子阱结构层的发光波长。
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