[发明专利]一种UV-LED外延结构及其制备方法

权利要求书

1.一种UV-LED外延结构，其特征在于，包括：

衬底；

底层外延层，位于所述衬底上；

第一类型外延层，位于所述底层外延层上；

量子阱结构层，位于所述第一类型外延层上；

第二类型外延层，位于所述量子阱结构层上；

其中，所述底层外延层的吸收波长短于所述量子阱结构层的发光波长。

2.如权利要求1所述的UV-LED外延结构，其特征在于，所述底层外延层包括位于所述衬底上且自下至上层叠的成核层和非掺杂氮化物层。

3.如权利要求2所述的UV-LED外延结构，其特征在于，所述成核层的吸收波长短于所述量子阱结构层的发光波长，且所述非掺杂氮化物层的吸收波长短于所述量子阱结构层的发光波长。

4.如权利要求2所述的UV-LED外延结构，其特征在于，所述成核层的材质包括AlGaN、InGaN或InAlGaN。

5.如权利要求2所述的UV-LED外延结构，其特征在于，所述非掺杂氮化物层的材质包括AlGaN、InGaN或InAlGaN。

6.如权利要求2所述的UV-LED外延结构，其特征在于，所述非掺杂氮化物层为复合层结构。

7.如权利要求6所述的UV-LED外延结构，其特征在于，所述非掺杂氮化物层为包括GaN层、AlGaN层、InGaN层和InAlGaN层中的至少两种的复合层。

8.如权利要求6所述的UV-LED外延结构，其特征在于，所述非掺杂氮化物层为超晶格结构。

9.如权利要求2所述的UV-LED外延结构，其特征在于，所述成核层的厚度为15nm～50nm。

10.如权利要求2所述的UV-LED外延结构，其特征在于，所述非掺杂氮化物层的厚度为2.0um～4.0um。

11.一种UV-LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长底层外延层；

在所述底层外延层上生长第一类型外延层；

在所述第一类型外延层上生长量子阱结构层；

在所述量子阱结构层上生长第二类型外延层；

其中，所述底层外延层的吸收波长短于所述量子阱结构层的发光波长。

12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述底层外延层包括位于所述衬底上且自下至上层叠的成核层和非掺杂氮化物层。

13.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述成核层的吸收波长短于所述量子阱结构层的发光波长，且所述非掺杂氮化物层的吸收波长短于所述量子阱结构层的发光波长。

14.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述成核层包括AlGaN层、InGaN层或InAlGaN层。

15.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述非掺杂氮化物层为复合层结构。

16.如权利要求15所述的制备方法，其特征在于，所述非掺杂氮化物层为包括GaN层、AlGaN层、InGaN层和InAlGaN层中的至少两种的复合层。

17.如权利要求15所述的制备方法，其特征在于，所述非掺杂氮化物层为超晶格结构。

18.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述成核层的厚度为15nm～50nm。