[发明专利]晶圆基座及离子注入设备在审
| 申请号： | 201810076040.2 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108288600A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 石志平;洪纪伦;倪明明;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种晶圆基座及离子注入设备，所述晶圆基座包括：晶圆载台，所述晶圆载台具有多个安装孔；多个检测针，分别设置于各个安装孔内且可在垂直于所述晶圆载台表面的方向上下移动，在无晶圆状态下，所述检测针的第一端高于所述晶圆载台的表面，在有晶圆状态下，所述检测针被晶圆压迫下移；位移传感器，与所述多个检测针耦合，适于在有晶圆状态下检测所述多个检测针的下移距离，当至少一个检测针的下移距离小于预设阈值时，确定所述晶圆位置发生异常。本发明方案可以提高晶圆基座所在的半导体设备的精准性以及产品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 检测针 晶圆载台 晶圆基座 晶圆状态 下移 离子注入设备 安装孔 半导体设备 位移传感器 晶圆位置 上下移动 耦合 第一端 阈值时 晶圆 预设 种晶 垂直 压迫 检测 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆基座，其特征在于，包括：晶圆载台，所述晶圆载台具有多个安装孔；多个检测针，分别设置于各个安装孔内且可在垂直于所述晶圆载台表面的方向上下移动，在无晶圆状态下，所述检测针的第一端高于所述晶圆载台的表面，在有晶圆状态下，所述检测针被晶圆压迫下移；位移传感器，与所述多个检测针耦合，适于在有晶圆状态下检测所述多个检测针的下移距离，当至少一个检测针的下移距离小于预设阈值时，确定所述晶圆位置发生异常。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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