[发明专利]晶圆基座及离子注入设备在审
申请号: | 201810076040.2 | 申请日: | 2018-01-26 |
公开(公告)号: | CN108288600A | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 石志平;洪纪伦;倪明明;吴宗祐;林宗贤 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 武振华;吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测针 晶圆载台 晶圆基座 晶圆状态 下移 离子注入设备 安装孔 半导体设备 位移传感器 晶圆位置 上下移动 耦合 第一端 阈值时 晶圆 预设 种晶 垂直 压迫 检测 | ||
1.一种晶圆基座,其特征在于,包括:
晶圆载台,所述晶圆载台具有多个安装孔;
多个检测针,分别设置于各个安装孔内且可在垂直于所述晶圆载台表面的方向上下移动,在无晶圆状态下,所述检测针的第一端高于所述晶圆载台的表面,在有晶圆状态下,所述检测针被晶圆压迫下移;
位移传感器,与所述多个检测针耦合,适于在有晶圆状态下检测所述多个检测针的下移距离,当至少一个检测针的下移距离小于预设阈值时,确定所述晶圆位置发生异常。
2.根据权利要求1所述的晶圆基座,其特征在于,所述位移传感器包括:
多个检测组件,每一检测组件包括第一导电件与第二导电件,其中,在每一检测组件中,所述第一导电件耦接于固定于对应的检测针的第二端,所述第二导电件与第一导电件相距所述预设阈值,在有晶圆状态下,所述第一导电件随所述检测针向所述第二导电件移动;
输入端以及输出端,所述输入端、多个检测组件以及所述输出端形成串联回路,所述多个检测组件中,第一个检测组件的第一导电件与所述输入端电连接,后一检测组件的第一导电件与前一检测组件的第二导电件电连接,最后一个检测组件的第二导电件与所述输出端电连接;
检测器件,适于在有晶圆状态下,检测所述串联回路是否导通,当所述串联回路为断开时,确定所述晶圆位置发生异常。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆基座,其特征在于,所述预设阈值为所述晶圆载台的表面无颗粒物时,所述检测针从无晶圆状态至有晶圆状态的移动距离。
4.根据权利要求2所述的晶圆基座,其特征在于,所述输入端和输出端之间施加有检测电压,所述检测器件包括电压检测器件,所述电压检测器件适于检测所述串联回路中每相邻两个检测组件之间的连接点的电压;
当所述电压检测器件的任一检测结果为零时,所述电压检测器件确定所述晶圆位置发生异常。
5.根据权利要求2所述的晶圆基座,其特征在于,所述输入端和输出端之间施加有检测电压,所述检测器件包括电流检测器件;
当所述电流检测器件的检测结果为所述串联回路中的电流为零时,所述电流检测器件确定所述晶圆位置发生异常。
6.根据权利要求2所述的晶圆基座,其特征在于,所述检测组件还包括:
弹性部件,所述弹性部件设置于第一导电件与第二导电件之间。
7.根据权利要求2所述的晶圆基座,其特征在于,
所述第一导电件具有朝向第二导电件伸出的导电凸出部,和/或第二导电件具有朝向第一导电件伸出的导电凸出部。
8.根据权利要求1所述的晶圆基座,其特征在于,所述多个安装孔分布于所述晶圆载台的不同位置。
9.根据权利要求1所述的晶圆基座,其特征在于,所述晶圆载台为静电吸盘式载台。
10.一种离子注入设备,其特征在于,包括如权利要求1至9任一项所述的晶圆基座。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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