[发明专利]图像传感器在审
| 申请号: | 201810073539.8 | 申请日: | 2018-01-25 |
| 公开(公告)号: | CN108695346A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
| 发明(设计)人: | 金汉锡;朴炳俊;罗承柱;郑熙根 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | 一种图像传感器包括:基板,其包括布置成二维阵列结构的多个像素并具有正面和与正面相反的背面;布置在基板的正面上的互连;布置在基板的背面上的绝缘层、滤色器和微透镜;设置在基板中的像素分离结构,像素分离结构包括在图像传感器的俯视图中具有网格结构的导电层并且围绕所述多个像素的每个;以及背面接触,其与像素分离结构的导电层的网格结构的网格点部分垂直地重叠并电连接到像素分离结构的导电层的网格结构的网格点部分。 | ||
| 搜索关键词: | 像素 分离结构 基板 图像传感器 网格结构 导电层 网格点 背面 绝缘层 二维阵列结构 背面接触 垂直地 电连接 俯视图 滤色器 微透镜 互连 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:基板,其包括布置成二维阵列结构的多个像素并且具有正面和与所述正面相反的背面;布置在所述基板的所述正面上的互连;布置在所述基板的所述背面上的绝缘层、滤色器和微透镜;设置在所述基板中的像素分离结构,其中所述像素分离结构包括在所述图像传感器的俯视图中具有网格结构并围绕所述多个像素的每个的导电层;以及背面接触,其与所述像素分离结构的所述导电层的所述网格结构的网格点部分垂直地重叠并且电连接到所述像素分离结构的所述导电层的所述网格结构的所述网格点部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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