[发明专利]图像传感器在审

专利信息
申请号: 201810073539.8 申请日: 2018-01-25
公开(公告)号: CN108695346A 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: 金汉锡;朴炳俊;罗承柱;郑熙根 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 像素 分离结构 基板 图像传感器 网格结构 导电层 网格点 背面 绝缘层 二维阵列结构 背面接触 垂直地 电连接 俯视图 滤色器 微透镜 互连
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,包括:

基板,其包括布置成二维阵列结构的多个像素并且具有正面和与所述正面相反的背面;

布置在所述基板的所述正面上的互连;

布置在所述基板的所述背面上的绝缘层、滤色器和微透镜;

设置在所述基板中的像素分离结构,其中所述像素分离结构包括在所述图像传感器的俯视图中具有网格结构并围绕所述多个像素的每个的导电层;以及

背面接触,其与所述像素分离结构的所述导电层的所述网格结构的网格点部分垂直地重叠并且电连接到所述像素分离结构的所述导电层的所述网格结构的所述网格点部分。

2.如权利要求1所述的图像传感器,

其中所述像素分离结构还包括多个侧壁绝缘层,所述多个侧壁绝缘层的每个插置在所述导电层与所述多个像素中的一个之间并且围绕所述多个像素中的所述一个,以及

其中所述导电层穿透所述基板以电连接到所述互连。

3.如权利要求2所述的图像传感器,

其中负电压或地电压通过所述互连被施加到所述导电层和所述背面接触。

4.如权利要求1所述的图像传感器,

其中所述背面接触的一部分插入到所述导电层的所述网格结构的所述网格点部分中。

5.如权利要求1所述的图像传感器,

其中所述背面接触包括穿透所述绝缘层的上头部和插入到所述导电层的所述网格结构的所述网格点部分中的下插入部,以及

其中所述上头部的宽度大于所述下插入部的宽度。

6.如权利要求1所述的图像传感器,

其中所述背面接触的上表面具有圆形、椭圆形、多边形和十字形中的一种。

7.如权利要求1所述的图像传感器,

其中所述多个像素的每个在所述图像传感器的俯视图中具有矩形结构,

其中所述多个像素包括布置成两行和两列的四个像素,

其中所述背面接触与所述四个像素间隔开,以及

其中所述导电层的所述网格结构的所述网格点部分位于所述导电层的邻近于所述四个像素的区域中。

8.如权利要求1所述的图像传感器,

其中所述背面接触的宽度小于所述导电层的宽度。

9.如权利要求1所述的图像传感器,

其中所述绝缘层包括抗反射层。

10.如权利要求2所述的图像传感器,

其中所述多个像素的每个包括光电二极管,

其中所述光电二极管被所述多个侧壁绝缘层中的一个围绕,使得所述光电二极管与所述像素分离结构的所述导电层隔离。

11.如权利要求1所述的图像传感器,

其中所述导电层包括多晶硅,以及

其中所述背面接触包括钨(W)。

12.一种图像传感器,包括:

多个像素,每个像素包括设置在包括正面和背面的基板中的光电二极管,所述多个像素布置在第一方向和第二方向上以在所述图像传感器的俯视图中形成阵列结构;

穿透所述基板的像素分离结构,其中所述像素分离结构包括多个侧壁绝缘层和具有围绕所述多个侧壁绝缘层的每个的网格结构的导电层;以及

多个背面接触,每个背面接触部分地插入到所述导电层的所述网格结构的多个网格点部分中的一个中,

其中所述导电层的所述网格结构的所述多个网格点部分在所述第一方向上和在所述第二方向上与所述多个像素不重叠。

13.如权利要求12所述的图像传感器,还包括:

在所述基板的所述正面上的互连,

其中所述导电层具有一体连接结构并且电连接到所述互连,以及

其中负电压或地电压通过所述互连被施加到所述导电层和所述多个背面接触。

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