[发明专利]半导体芯片有效

专利信息
申请号: 201810069147.4 申请日: 2018-01-24
公开(公告)号: CN108364946B 公开(公告)日: 2022-12-16
发明(设计)人: 嶋本健一 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/488;H01L23/367;H03F1/00;H03F1/30;H03F3/21
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张鑫
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种能缩小安装面积,并能抑制晶体管的发热的影响的半导体芯片。半导体芯片包括:对第1信号进行放大并输出第2信号的第1晶体管;对第2信号进行放大并输出第3信号的第2晶体管;以及具有平行于由第1方向及第2方向所规定的平面的主面,并形成有第1及第2晶体管的半导体基板,主面上设有:与第1晶体管的集电极或漏极相连接的第1凸点;与第1晶体管的发射极或源极相连接的第2凸点;与第2晶体管的集电极或漏极相连接的第3凸点、及与第2晶体管的发射极或源极相连接的第4凸点,在俯视主面时,第1凸点呈圆形,第2、第3及第4凸点呈矩形或椭圆形,第2、第3及第4凸点的面积比第1凸点的面积要大。
搜索关键词: 半导体 芯片
【主权项】:
1.一种半导体芯片,其特征在于,包括:对第1信号进行放大并输出第2信号的第1晶体管;对所述第2信号进行放大并输出第3信号的第2晶体管;以及具有平行于由第1方向及与所述第1方向交叉的第2方向所规定的平面的主面,并形成有所述第1晶体管及所述第2晶体管的半导体基板,所述半导体基板的所述主面上设有:与所述第1晶体管的集电极或漏极电连接的第1凸点;与所述第1晶体管的发射极或源极电连接的第2凸点;与所述第2晶体管的集电极或漏极电连接的第3凸点;以及与所述第2晶体管的发射极或源极电连接的第4凸点,俯视所述半导体基板的所述主面时,所述第1凸点呈圆形,所述第2凸点、所述第3凸点及所述第4凸点呈矩形或椭圆形,所述第2凸点、所述第3凸点及所述第4凸点的面积分别比所述第1凸点的面积要大。
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