[发明专利]半导体芯片有效
申请号: | 201810069147.4 | 申请日: | 2018-01-24 |
公开(公告)号: | CN108364946B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 嶋本健一 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/488;H01L23/367;H03F1/00;H03F1/30;H03F3/21 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种能缩小安装面积,并能抑制晶体管的发热的影响的半导体芯片。半导体芯片包括:对第1信号进行放大并输出第2信号的第1晶体管;对第2信号进行放大并输出第3信号的第2晶体管;以及具有平行于由第1方向及第2方向所规定的平面的主面,并形成有第1及第2晶体管的半导体基板,主面上设有:与第1晶体管的集电极或漏极相连接的第1凸点;与第1晶体管的发射极或源极相连接的第2凸点;与第2晶体管的集电极或漏极相连接的第3凸点、及与第2晶体管的发射极或源极相连接的第4凸点,在俯视主面时,第1凸点呈圆形,第2、第3及第4凸点呈矩形或椭圆形,第2、第3及第4凸点的面积比第1凸点的面积要大。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种半导体芯片,其特征在于,包括:对第1信号进行放大并输出第2信号的第1晶体管;对所述第2信号进行放大并输出第3信号的第2晶体管;以及具有平行于由第1方向及与所述第1方向交叉的第2方向所规定的平面的主面,并形成有所述第1晶体管及所述第2晶体管的半导体基板,所述半导体基板的所述主面上设有:与所述第1晶体管的集电极或漏极电连接的第1凸点;与所述第1晶体管的发射极或源极电连接的第2凸点;与所述第2晶体管的集电极或漏极电连接的第3凸点;以及与所述第2晶体管的发射极或源极电连接的第4凸点,俯视所述半导体基板的所述主面时,所述第1凸点呈圆形,所述第2凸点、所述第3凸点及所述第4凸点呈矩形或椭圆形,所述第2凸点、所述第3凸点及所述第4凸点的面积分别比所述第1凸点的面积要大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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