[发明专利]半导体芯片有效

专利信息
申请号: 201810069147.4 申请日: 2018-01-24
公开(公告)号: CN108364946B 公开(公告)日: 2022-12-16
发明(设计)人: 嶋本健一 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/488;H01L23/367;H03F1/00;H03F1/30;H03F3/21
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张鑫
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 芯片
【权利要求书】:

1.一种半导体芯片,其特征在于,包括:

对第1信号进行放大并输出第2信号的第1晶体管;

对所述第2信号进行放大并输出第3信号的第2晶体管;以及

具有平行于由第1方向及与所述第1方向交叉的第2方向所规定的平面的主面,并形成有所述第1晶体管及所述第2晶体管的半导体基板,

所述半导体基板的所述主面上设有:

与所述第1晶体管的集电极或漏极电连接的第1凸点;

与所述第1晶体管的发射极或源极电连接的第2凸点;

与所述第2晶体管的集电极或漏极电连接的第3凸点;以及

与所述第2晶体管的发射极或源极电连接的第4凸点,

俯视所述半导体基板的所述主面时,

所述第1凸点呈圆形,所述第2凸点、所述第3凸点及所述第4凸点呈矩形或椭圆形,

所述第2凸点、所述第3凸点及所述第4凸点的面积分别比所述第1凸点的面积要大,

所述半导体基板的所述主面是具有与所述第1方向平行的第1边及第2边的矩形,

所述第3凸点以其长边方向与所述第1方向平行的方式配置于所述第1边的附近,

所述半导体基板的所述主面上还设有与滤波电路的一部分电连接的第6凸点,该滤波电路使所述第3信号的高次谐波衰减,

俯视所述半导体基板的所述主面时,所述第6凸点配置于所述第1边的附近。

2.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于,

在所述半导体基板的所述主面上的所述第2边的附近还设有第5凸点,

俯视所述半导体基板的所述主面时,

所述第5凸点呈圆形,

所述第3凸点的面积比所述第5凸点的面积要大,

所述第3凸点的长边方向的长度比所述第4凸点的长边方向的长度要短。

3.如权利要求1或2所述的半导体芯片,其特征在于,

所述第3凸点包含单独形成的第1部分及第2部分,

俯视所述半导体基板的所述主面时,

所述第3凸点的所述第1部分及所述第2部分分别在所述第1边的附近相对于所述第1方向的中心线对称地配置,

所述第6凸点位于所述第3凸点的所述第1部分及所述第2部分之间,即配置于所述中心线附近。

4.如权利要求1或2所述的半导体芯片,其特征在于,

所述第6凸点包含单独形成的第1部分及第2部分,

俯视所述半导体基板的所述主面时,

所述第6凸点的所述第1部分及所述第2部分分别相对于所述第1方向的中心线对称地配置,

所述第3凸点配置于所述第6凸点的所述第1部分及所述第2部分之间。

5.如权利要求1或2所述的半导体芯片,其特征在于,

俯视所述半导体基板的所述主面时,所述第3凸点的长边方向与所述第4凸点的长边方向正交。

6.如权利要求3所述的半导体芯片,其特征在于,

俯视所述半导体基板的所述主面时,所述第3凸点的长边方向与所述第4凸点的长边方向正交。

7.如权利要求4所述的半导体芯片,其特征在于,

俯视所述半导体基板的所述主面时,所述第3凸点的长边方向与所述第4凸点的长边方向正交。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所,未经株式会社村田制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810069147.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top