[发明专利]半导体芯片有效
| 申请号: | 201810069147.4 | 申请日: | 2018-01-24 |
| 公开(公告)号: | CN108364946B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
| 发明(设计)人: | 嶋本健一 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/488;H01L23/367;H03F1/00;H03F1/30;H03F3/21 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张鑫 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 芯片 | ||
1.一种半导体芯片,其特征在于,包括:
对第1信号进行放大并输出第2信号的第1晶体管;
对所述第2信号进行放大并输出第3信号的第2晶体管;以及
具有平行于由第1方向及与所述第1方向交叉的第2方向所规定的平面的主面,并形成有所述第1晶体管及所述第2晶体管的半导体基板,
所述半导体基板的所述主面上设有:
与所述第1晶体管的集电极或漏极电连接的第1凸点;
与所述第1晶体管的发射极或源极电连接的第2凸点;
与所述第2晶体管的集电极或漏极电连接的第3凸点;以及
与所述第2晶体管的发射极或源极电连接的第4凸点,
俯视所述半导体基板的所述主面时,
所述第1凸点呈圆形,所述第2凸点、所述第3凸点及所述第4凸点呈矩形或椭圆形,
所述第2凸点、所述第3凸点及所述第4凸点的面积分别比所述第1凸点的面积要大,
所述半导体基板的所述主面是具有与所述第1方向平行的第1边及第2边的矩形,
所述第3凸点以其长边方向与所述第1方向平行的方式配置于所述第1边的附近,
所述半导体基板的所述主面上还设有与滤波电路的一部分电连接的第6凸点,该滤波电路使所述第3信号的高次谐波衰减,
俯视所述半导体基板的所述主面时,所述第6凸点配置于所述第1边的附近。
2.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于,
在所述半导体基板的所述主面上的所述第2边的附近还设有第5凸点,
俯视所述半导体基板的所述主面时,
所述第5凸点呈圆形,
所述第3凸点的面积比所述第5凸点的面积要大,
所述第3凸点的长边方向的长度比所述第4凸点的长边方向的长度要短。
3.如权利要求1或2所述的半导体芯片,其特征在于,
所述第3凸点包含单独形成的第1部分及第2部分,
俯视所述半导体基板的所述主面时,
所述第3凸点的所述第1部分及所述第2部分分别在所述第1边的附近相对于所述第1方向的中心线对称地配置,
所述第6凸点位于所述第3凸点的所述第1部分及所述第2部分之间,即配置于所述中心线附近。
4.如权利要求1或2所述的半导体芯片,其特征在于,
所述第6凸点包含单独形成的第1部分及第2部分,
俯视所述半导体基板的所述主面时,
所述第6凸点的所述第1部分及所述第2部分分别相对于所述第1方向的中心线对称地配置,
所述第3凸点配置于所述第6凸点的所述第1部分及所述第2部分之间。
5.如权利要求1或2所述的半导体芯片,其特征在于,
俯视所述半导体基板的所述主面时,所述第3凸点的长边方向与所述第4凸点的长边方向正交。
6.如权利要求3所述的半导体芯片,其特征在于,
俯视所述半导体基板的所述主面时,所述第3凸点的长边方向与所述第4凸点的长边方向正交。
7.如权利要求4所述的半导体芯片,其特征在于,
俯视所述半导体基板的所述主面时,所述第3凸点的长边方向与所述第4凸点的长边方向正交。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所,未经株式会社村田制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810069147.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





