[发明专利]带氮化硅致应力结构的硅基探测器及制作方法在审
| 申请号： | 201810062599.X | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108231920A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 高建威;刘恋;杨修伟 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 重庆乾乙律师事务所 50235 | 代理人： | 侯懋琪 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带氮化硅致应力结构的硅基探测器，该硅基探测器在光敏区表面设置有微结构阵列，微结构阵列表面覆盖有氮化硅应力层；本发明还公开了前述硅基探测器的制作方法；本发明的有益技术效果是：提出了一种带氮化硅致应力结构的硅基探测器及制作方法，采用本发明方案后，可通过氮化硅应力层向衬底施加应力，从而使衬底持续受到应力作用，改变衬底的吸收特性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基探测器 氮化硅 应力结构 衬底 微结构阵列 应力层 制作 表面覆盖 表面设置 技术效果 吸收特性 应力作用 光敏区 施加 | ||
【主权项】：
1.一种带氮化硅致应力结构的硅基探测器，包括硅材质的光敏区(1)；其特征在于：所述光敏区(1)表面设置有微结构阵列，微结构阵列表面覆盖有氮化硅应力层(2)；所述微结构阵列由多个凸起结构(1‑1)组成；单个凸起结构(1‑1)为下大上小的圆台；所述氮化硅应力层(2)的形貌与凸起结构(1‑1)匹配；相邻凸起结构(1‑1)之间设置有隔离槽(3)，隔离槽(3)的深度达到光敏区(1)表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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