[发明专利]带氮化硅致应力结构的硅基探测器及制作方法

权利要求书

1.一种带氮化硅致应力结构的硅基探测器，包括硅材质的光敏区(1)；其特征在于：所述光敏区(1)表面设置有微结构阵列，微结构阵列表面覆盖有氮化硅应力层(2)；所述微结构阵列由多个凸起结构(1-1)组成；单个凸起结构(1-1)为下大上小的圆台；所述氮化硅应力层(2)的形貌与凸起结构(1-1)匹配；相邻凸起结构(1-1)之间设置有隔离槽(3)，隔离槽(3)的深度达到光敏区(1)表面。

2.根据权利要求1所述的带氮化硅致应力结构的硅基探测器，其特征在于：所述氮化硅应力层(2)的厚度为100-300nm。

3.一种硅基探测器的制作方法，其特征在于：所述方法包括：

光敏区(1)制作好后，1)采用光刻工艺，在光敏区(1)表面光刻出多个圆柱结构；

2)采用刻蚀工艺或腐蚀工艺对光敏区(1)表面进行处理，将所述圆柱结构处理为下大上小的圆台；

3)采用PECVD工艺或LPCVD工艺，在光敏区(1)表面淀积一定厚度的氮化硅膜；

4)采用光刻工艺对氮化硅膜进行处理，使氮化硅膜的形貌与多个圆台匹配；

5)采用刻蚀工艺，在氮化硅膜上刻蚀出隔离槽(3)，隔离槽(3)的深度达到光敏区(1)表面，相邻圆台之间通过隔离槽(3)隔离。