[发明专利]In2(SxSe1-x)3薄膜材料的制备方法在审
| 申请号： | 201810062500.6 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108251811A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 刘芳洋;康亮亮;翁娜娜;蒋良兴;李靖;张阳 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 长沙智德知识产权代理事务所(普通合伙) 43207 | 代理人： | 陈铭浩 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种In2(SxSe1‑x)3薄膜材料的制备方法，该In2(SxSe1‑x)3薄膜材料的制备方法包括：第一步，对基材表面进行清洁处理；第二步，在清洁处理后的基材表面通过磁控反应溅射法一步沉积In2(SxSe1‑x)3薄膜，其中，0≤x≤1；第三步，对In2(SxSe1‑x)3薄膜表面进行刻蚀处理。本发明提出的In2(SxSe1‑x)3薄膜材料的制备方法具有成本低、薄膜成分易控可调、重现性好和适合薄膜大面积生长等优点，所制备的薄膜具有良好的成分可控性和均匀性，优越的结晶质量及透光性。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 薄膜材料 薄膜 基材表面 清洁处理 磁控反应溅射 成分可控性 薄膜表面 均匀性 透光性 重现性 可调 刻蚀 沉积 生长 | ||
【主权项】：
1.一种In2(SxSe1‑x)3薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括：第一步，对基材表面进行清洁处理；第二步，在清洁处理后的基材表面通过磁控反应溅射法一步沉积In2(SxSe1‑x)3薄膜，其中，0≤x≤1；第三步，对In2(SxSe1‑x)3薄膜表面进行刻蚀处理。
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