[发明专利]In2(SxSe1-x)3薄膜材料的制备方法

权利要求书

1.一种In₂(S_xSe_1-x)₃薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括：

第一步，对基材表面进行清洁处理；

第二步，在清洁处理后的基材表面通过磁控反应溅射法一步沉积In₂(S_xSe_1-x)₃薄膜，其中，0≤x≤1；

第三步，对In₂(S_xSe_1-x)₃薄膜表面进行刻蚀处理。

2.如权利要求1所述的In₂(S_xSe_1-x)₃薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述第二步中，采用的阴极靶为铟源靶材和/或硫属靶材。

3.如权利要求2所述的In₂(S_xSe_1-x)₃薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述第二步中，所述阴极靶采用的电源为直流电源或射频电源。

4.如权利要求2所述的In₂(S_xSe_1-x)₃薄膜材料的制备方法，其特征在于，当x＝0时，所述铟源靶材为In靶、In₂Se₃靶或In-Se合金靶中的任一种，所述硫属靶材为Se靶材、In₂Se₃靶或In-Se合金靶中的任一种；当0<x<1时，所述铟源靶材为In靶、In₂S₃靶、In₂Se₃靶、In₂(S_xSe_1-x)₃靶、In-S合金靶、In-Se合金靶或In-S-Se合金靶中的任一种；所述硫属靶材为S靶材、Se靶材、In₂S₃靶、In₂Se₃靶、In₂(S_xSe_1-x)₃靶、S_xSe_1-x靶、S-Se靶、In-S合金靶、In-Se合金靶或In-S-Se合金靶中的任一种；当x＝1时，所述铟源靶材为In靶、In₂S₃靶或In-S合金靶中的任一种，所述硫属靶材为S靶材、In₂S₃或In-S合金靶中的任一种。

5.如权利要求2-4任一项所述的In₂(S_xSe_1-x)₃薄膜材料的制备方法，其特征在于，当x＝1时，采用的溅射气体为硫化氢和氩气的混合气体；当x＝0时，采用的溅射气体为硒化氢和氩气的混合气体；当0<x<1时，采用的溅射气体为硫化氢或硒化氢中的至少一种以及氩气的混合气体。

6.如权利要求5所述的In₂(S_xSe_1-x)₃薄膜材料的制备方法，其特征在于，氩气气体流量为1～1000sccm，硫化氢和硒化氢气体流量均为1～1000sccm，溅射室内压强为0.05Pa～15Pa，靶材与基材的距离为3～18cm，阴极靶的溅射功率密度为0.5～100W/cm²，沉积时间为1～300min，基材温度为30～700℃，并以1～1000r/min的速率旋转所述基材。