[发明专利]一种基于垂直孔道SBA-15限域的量子点发光二极管器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光二极管器件的制作方法。其先在FTO玻璃上通过蒸镀技术和热氧化工艺制备一层TiO₂薄膜，再利用旋涂工艺制备具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜，随后以垂直多孔的SBA‑15薄膜作为模板，通过旋涂灌入量子点前驱体溶液，使得垂直多孔的SBA‑15薄膜孔道中嵌入量子点，再利用旋涂工艺在嵌有量子点的SBA‑15薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和银，最终形成所述基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光二极管器件。本发明制作成本低，制备工艺简单，其通过SBA‑15的限域作用，可使SBA‑15中形成的量子点具有粒径均一、单色性好等优势。

主权项

1.一种基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光二极管器件的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤S1：选取FTO玻璃作为发光二极管的衬底；步骤S2：利用蒸镀技术将Ti蒸镀到FTO玻璃表面形成Ti膜，再使用热氧化工艺制成TiO₂膜；步骤S3：配制SBA‑15多孔薄膜前驱体溶液，然后利用旋涂工艺将其旋涂在覆有TiO₂膜的FTO玻璃表面，制备出具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜；步骤S4：制备量子点前驱体溶液；步骤S5：在具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜上旋涂量子点前驱体溶液，得到嵌有量子点的SBA‑15多孔薄膜；步骤S6：配制空穴传输层前驱体溶液，然后将其旋涂在嵌有量子点的SBA‑15多孔薄膜表面，经干燥形成空穴传输层；步骤S7：利用蒸镀技术将氧化钼和银共同沉积到步骤S6制备的空穴传输层上，制得基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光二极管器件；其中，步骤S3具体包括以下步骤：步骤S31：制备三元表面活性剂溶液：将一定量的P123、SDS以及C₁₆TMAB溶解于去离子水中，一定温度下搅拌后，再利用去离子水调整pH，制得三元表面活性剂溶液；步骤S32：制备酸化硅酸钠溶液：取浓硫酸溶于一定量去离子水中，再加入硅酸钠溶液，经震荡搅拌后滴加一定量的氢氧化钠溶液调整pH，制得酸化硅酸钠溶液；步骤S33：将三元表面活性剂溶液和酸化硅酸钠溶液分别加热到一定温度后，将两种溶液迅速搅拌混合，制得模板溶液，然后利用旋涂工艺将其旋涂成膜，于烘箱中干燥一段时间后，再在一定温度下进行焙烧，最后经水热处理得到具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜；步骤S31中P123、SDS、C₁₆TMAB的质量比为（0.5‑0.9）:（0.7‑1.2）:（0.5‑0.9）；其搅拌时间为1‑10min，搅拌温度为35‑65℃，调整后溶液的pH为3.0‑6.0；步骤S32中浓硫酸的浓度为98wt%，其与去离子水混合的体积比为1:100‑500；硅酸钠溶液的浓度为27wt%，硅酸钠溶液与浓硫酸混合的体积比为2:（0.3‑2.0）；震荡搅拌时间为10‑30min；氢氧化钠溶液的浓度为0.5‑3mol/L，pH调整至3.0‑7.0；步骤S33中将三元表面活性剂溶液和酸化硅酸钠溶液分别加热到30‑70℃；三元表面活性剂溶液和酸化硅酸钠溶液混合的质量比为1:1‑2，搅拌混合时间为1‑10min；旋涂工艺的转速为1000‑5000rpm；干燥的时间为0.5‑2h；焙烧的处理方式为300‑600℃处理3‑10h；水热处理的方式为50‑150℃处理12‑48h。