[发明专利]一种基于垂直孔道SBA-15限域的量子点发光二极管器件的制作方法有效
申请号: | 201810061813.X | 申请日: | 2018-01-23 |
公开(公告)号: | CN108269941B | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 杨尊先;郭太良;黄建华;郑康;陆干臻;叶芸;周雄图;陈耿旭;李福山;陈剑明 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L51/00 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊;高辉 |
地址: | 350108 福建省福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子点 垂直孔道 限域 发光二极管器件 旋涂 薄膜 再利用 蒸镀 制备 制作 量子点前驱体溶液 垂直 空穴传输层 热氧化工艺 多孔薄膜 工艺制备 粒径均一 制备工艺 单色性 热蒸发 氧化钼 灌入 孔道 嵌有 嵌入 | ||
本发明公开了一种基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光二极管器件的制作方法。其先在FTO玻璃上通过蒸镀技术和热氧化工艺制备一层TiO2薄膜,再利用旋涂工艺制备具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜,随后以垂直多孔的SBA‑15薄膜作为模板,通过旋涂灌入量子点前驱体溶液,使得垂直多孔的SBA‑15薄膜孔道中嵌入量子点,再利用旋涂工艺在嵌有量子点的SBA‑15薄膜上制备空穴传输层,并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和银,最终形成所述基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光二极管器件。本发明制作成本低,制备工艺简单,其通过SBA‑15的限域作用,可使SBA‑15中形成的量子点具有粒径均一、单色性好等优势。
技术领域
本发明属于光电材料与器件领域,具体涉及一种基于垂直孔道SBA-15限域的量子点发光二极管器件的制作方法。
背景技术
随着科技的发展和社会的进步,信息交流与传递成为了日常生活中必不可少的一部分。量子点光致发光光学薄膜器件作为一种最有可能实现实用化的显示器件,在信息交流和传递等领域起着至关重要的作用。量子点发光光学薄膜器件因其优异的光致发光性能、广色域以及光色可调等优点,已经成为了目前最为热门的研究对象。为了提高器件的发光性能以及提高发光稳定性及寿命,需要通过控制量子点材料的粒径来控制发光波长,以提高它的单色性。通过大量实验表明,利用多孔模板来生长量子点,可得到粒径均匀且单色性好的量子点发光二极管。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足和缺陷,提供一种基于垂直孔道SBA-15限域的量子点发光二极管器件的制作方法,其制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单,且通过SBA-15垂直孔道的限域作用,可使SBA-15中形成的量子点具有粒径均一、单色性好等优势。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种基于垂直孔道SBA-15限域的量子点发光二极管器件的制作方法,其特征在于:包括如下步骤:
步骤S1:选取FTO玻璃作为发光二极管的衬底;
步骤S2:利用蒸镀技术将Ti蒸镀到FTO玻璃表面形成Ti膜,再使用热氧化工艺制成TiO2膜;
步骤S3:配制SBA-15多孔薄膜前驱体溶液,然后利用旋涂工艺将其旋涂在覆有TiO2膜的FTO玻璃表面,制备出具有垂直孔道的SBA-15多孔薄膜;
步骤S4:制备量子点前驱体溶液,以制得的量子点作为光致发光中心;
步骤S5:在具有垂直孔道的SBA-15多孔薄膜上旋涂量子点前驱体溶液,得到嵌有量子点的SBA-15多孔薄膜;
步骤S6:配制空穴传输层前驱体溶液,然后将其旋涂在嵌有量子点的SBA-15多孔薄膜表面,经干燥形成空穴传输层;
步骤S7:利用蒸镀技术将氧化钼和银共同沉积到步骤S6制备的衬底材料上,制得基于垂直孔道SBA-15限域的量子点发光二极管器件。
进一步地,步骤S2的具体操作为:在真空下,在FTO玻璃上蒸镀一层Ti膜,再将Ti膜置于氧气气氛下高温热氧化一段时间,得到TiO2膜。
较佳的,所得Ti膜的厚度为10-30nm,热氧化的温度为300-500℃,时间为1h-3h。
进一步地,步骤S3具体包括以下步骤:
步骤S31:制备三元表面活性剂溶液:将一定量的P123、SDS以及C16TMAB溶解于去离子水中,一定温度下搅拌后,再利用去离子水调整pH,制得三元表面活性剂溶液;
步骤S32:制备酸化硅酸钠溶液:取浓硫酸溶于一定量去离子水中,再加入硅酸钠溶液,经震荡搅拌后滴加一定量的氢氧化钠溶液调整pH,制得酸化硅酸钠溶液;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择