[发明专利]一种半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201810058543.7 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108281376A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 季莲;叶赛;周剑秋;丁超 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 冯艳芬 |
| 地址： | 211800 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制备方法，包括：(1)提供一衬底；(2)在衬底上添加一层二维材料层；(3)在二维材料层上沉积缓冲层；(4)在缓冲层上沉积半导体器件结构；(5)在半导体器件结构上沉积金属Ni层；(6)用热释放胶带将二维材料以上的结构从二维材料层上取下，包括缓冲层、半导体器件结构和金属Ni层；(7)在缓冲层下表面蒸镀背电极；(8)通过加热取下热释放胶带；(9)用腐蚀的方法去除金属Ni层；(10)在半导体器件结构上表面蒸镀正面电极。本发明工艺简单，且衬底可以多次循环利用，降低太阳电池等半导体器件的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件结构 二维材料 缓冲层 半导体器件 衬底 热释放胶带 取下 蒸镀 沉积 制备 金属 沉积金属 多次循环 正面电极 背电极 上表面 下表面 去除 加热 生产成本 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于该方法包括：(1)提供一衬底；(2)在衬底上添加一层二维材料层；(3)在二维材料层上沉积缓冲层；(4)在缓冲层上沉积半导体器件结构；(5)在半导体器件结构上沉积金属Ni层；(6)用热释放胶带将二维材料以上的结构从二维材料层上取下，包括缓冲层、半导体器件结构和金属Ni层；(7)在缓冲层下表面蒸镀背电极；(8)通过加热取下热释放胶带；(9)用腐蚀的方法去除金属Ni层；(10)在半导体器件结构上表面蒸镀正面电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
