[发明专利]半导体器件在审
申请号: | 201810057970.3 | 申请日: | 2018-01-22 |
公开(公告)号: | CN108346661A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 金艺兰;李垣哲 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L23/64 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供一种半导体器件。该半导体器件包括:衬底;第一结构和第二结构,在衬底上在第一方向上彼此间隔开,第一结构包括第一下电极,并且第二结构包括第二下电极;第一支撑物图案,设置在衬底上以支撑第一结构和第二结构,并包括第一区域和第二区域,第一区域暴露第一结构和第二结构的侧壁的部分,第二区域覆盖所述侧壁的其余部分;以及第二支撑图案,设置在第一支撑图案上以支撑第一结构和第二结构,第二支撑物图案包括第三区域和第四区域,第三区域配置为暴露第一结构和第二结构的侧壁的部分,第四区域覆盖所述侧壁的其余部分。 | ||
搜索关键词: | 侧壁 半导体器件 衬底 图案 第二区域 第一区域 支撑 下电极 支撑物 区域覆盖 区域配置 暴露 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:衬底;第一结构和第二结构,在所述衬底上在第一方向上彼此间隔开,所述第一结构包括第一下电极并且所述第二结构包括第二下电极;第一支撑物图案,设置在所述衬底上以支撑所述第一结构和所述第二结构,并包括第一区域和第二区域,所述第一区域暴露所述第一结构的第一侧壁和所述第二结构的第二侧壁的第一部分,所述第二区域覆盖所述第一侧壁和所述第二侧壁的第二部分;以及第二支撑物图案,设置在所述第一支撑物图案上以支撑所述第一结构和所述第二结构,所述第二支撑物图案包括第三区域和第四区域,所述第三区域配置为暴露所述第一侧壁和所述第二侧壁的第三部分,所述第四区域覆盖所述第一侧壁和所述第二侧壁的第四部分,其中所述第一支撑物图案的所述第一区域的第一宽度小于所述第二支撑物图案的所述第三区域的第二宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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