[发明专利]半导体器件在审

专利信息
申请号: 201810057970.3 申请日: 2018-01-22
公开(公告)号: CN108346661A 公开(公告)日: 2018-07-31
发明(设计)人: 金艺兰;李垣哲 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L23/64
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王新华
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括:衬底;第一结构和第二结构,在衬底上在第一方向上彼此间隔开,第一结构包括第一下电极,并且第二结构包括第二下电极;第一支撑物图案,设置在衬底上以支撑第一结构和第二结构,并包括第一区域和第二区域,第一区域暴露第一结构和第二结构的侧壁的部分,第二区域覆盖所述侧壁的其余部分;以及第二支撑图案,设置在第一支撑图案上以支撑第一结构和第二结构,第二支撑物图案包括第三区域和第四区域,第三区域配置为暴露第一结构和第二结构的侧壁的部分,第四区域覆盖所述侧壁的其余部分。
搜索关键词: 侧壁 半导体器件 衬底 图案 第二区域 第一区域 支撑 下电极 支撑物 区域覆盖 区域配置 暴露 覆盖
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:衬底;第一结构和第二结构,在所述衬底上在第一方向上彼此间隔开,所述第一结构包括第一下电极并且所述第二结构包括第二下电极;第一支撑物图案,设置在所述衬底上以支撑所述第一结构和所述第二结构,并包括第一区域和第二区域,所述第一区域暴露所述第一结构的第一侧壁和所述第二结构的第二侧壁的第一部分,所述第二区域覆盖所述第一侧壁和所述第二侧壁的第二部分;以及第二支撑物图案,设置在所述第一支撑物图案上以支撑所述第一结构和所述第二结构,所述第二支撑物图案包括第三区域和第四区域,所述第三区域配置为暴露所述第一侧壁和所述第二侧壁的第三部分,所述第四区域覆盖所述第一侧壁和所述第二侧壁的第四部分,其中所述第一支撑物图案的所述第一区域的第一宽度小于所述第二支撑物图案的所述第三区域的第二宽度。
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