[发明专利]半导体器件

说明书

提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；第一结构和第二结构，在衬底上在第一方向上彼此间隔开，第一结构包括第一下电极，并且第二结构包括第二下电极；第一支撑物图案，设置在衬底上以支撑第一结构和第二结构，并包括第一区域和第二区域，第一区域暴露第一结构和第二结构的侧壁的部分，第二区域覆盖所述侧壁的其余部分；以及第二支撑图案，设置在第一支撑图案上以支撑第一结构和第二结构，第二支撑物图案包括第三区域和第四区域，第三区域配置为暴露第一结构和第二结构的侧壁的部分，第四区域覆盖所述侧壁的其余部分。

技术领域

与示范性实施方式一致的方法和装置涉及一种半导体器件。

背景技术

近来，由于存储器产品的集成根据半导体工艺技术的进步而加速，其单位单元面积已经显著减小，并且其操作电压已经降低。例如，根据半导体器件的增大的集成度，半导体器件诸如动态随机存取存储器(DRAM)必须在减小由半导体器件占据的面积的同时保持或增大需要的电容。随着所要求的电容增大，圆柱形下电极的高宽比变得非常大。因此，出现了在电介质沉积之前圆柱形下电极倒塌或破裂的问题。

发明内容

本发明构思的示范性实施方式提供一种半导体器件，其能够通过允许顶部支撑物图案的开口区域(open region)的尺寸大于中间支撑物图案的开口区域的尺寸而有效地支撑下电极。

根据一示范性实施方式的一方面，提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；第一结构和第二结构，在衬底上在第一方向上彼此间隔开，第一结构包括第一下电极并且第二结构包括第二下电极；第一支撑物图案，设置在衬底上以支撑第一结构和第二结构，并包括第一区域和第二区域，该第一区域暴露第一结构的第一侧壁和第二结构的第二侧壁的第一部分，该第二区域覆盖第一侧壁和第二侧壁的第二部分；以及第二支撑物图案，设置在第一支撑物图案上以支撑第一结构和第二结构，第二支撑物图案包括第三区域和第四区域，该第三区域配置为暴露第一侧壁和第二侧壁的第三部分，该第四区域覆盖第一侧壁和第二侧壁的第四部分，其中第一支撑物图案的第一区域的第一宽度小于第二支撑物图案的第三区域的第二宽度。

根据另一示范性实施方式的一方面，提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；第一结构，设置在衬底上并包括第一下电极；第二结构，在衬底上在第一方向上与第一结构间隔开并包括第二下电极；第三结构，在衬底上在与第一方向不同的第二方向上与第一结构间隔开并包括第三下电极；第一支撑物图案，设置在衬底上以支撑第一结构、第二结构和第三结构，第一支撑物图案包括第一区域和第二区域，该第一区域暴露第一结构、第二结构和第三结构的侧壁的第一部分，该第二区域覆盖第一结构、第二结构和第三结构的侧壁的第二部分；以及第二支撑物图案，设置在第一支撑物图案上以支撑第一结构、第二结构和第三结构，第二支撑物图案包括第三区域和第四区域，该第三区域暴露第一结构、第二结构和第三结构的侧壁的第三部分，该第四区域覆盖第一结构、第二结构和第三结构的侧壁的第四部分，并且第二支撑物图案包含与第一支撑物图案不同的材料，其中设置在第一结构与第二结构之间的第一支撑物图案侧壁的第一长度不同于设置在第一结构与第二结构之间的第二支撑物图案侧壁的第二长度。

根据另一示范性实施方式的一方面，提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；在衬底上彼此间隔开的第一结构、第二结构和第三结构，第一结构包括第一下电极，第二结构包括第二下电极，第三结构包括第三下电极；第一支撑物图案，设置在衬底上以支撑第一结构、第二结构和第三结构，第一支撑物图案包括暴露第一结构、第二结构和第三结构的侧壁的第一部分的第一区域；以及第二支撑物图案，设置在第一支撑物图案上以支撑第一结构、第二结构和第三结构，第二支撑物图案包括暴露第一结构、第二结构和第三结构的侧壁的第二部分的第二区域，并且第二支撑物图案包含与第一支撑物图案不同的材料，其中第一支撑物图案的第一区域的第一宽度小于第二支撑物图案的第二区域的第二宽度。

附图说明

通过参照附图详细描述示范性实施方式，以上和其它的方面将变得更加明显，附图中：