[发明专利]一种提高维持电压的双栅栅控静电释放器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种提高维持电压的双栅栅控静电释放器件，包括衬底，衬底中设有HVNW区，HVNW区内设有P‑body区和NDD区，P‑body区内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第一多晶硅栅、第二N+注入区，第二多晶硅栅横跨在HVNW区和P‑body区之间，NDD区中设有第三N+注入区；所述第一N+注入区、第一多晶硅栅、第二N+注入区、第二多晶硅栅、第三N+注入区构成双栅MOSFET场效应管结构。本发明的静电释放器件采用双栅MOSFET场效应管结构，不会使得触发电压提高，并且能够直接提高LDMOS器件的维持电压，抑制LDMOS器件发生导通不均匀现象，提高LDMOS器件的整体二次击穿电流。

主权项

1.一种提高维持电压的双栅栅控静电释放器件，其特征在于：包括衬底、HVNW区、P‑body区、NDD区、第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第一多晶硅栅、第二多晶硅栅，所述衬底中设有HVNW区，HVNW区内从左至右依次设有P‑body区和NDD区，所述P‑body区内从左至右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第一多晶硅栅、第二N+注入区，所述第二多晶硅栅横跨在HVNW区和P‑body区之间，所述NDD区中设有第三N+注入区；所述第一N+注入区、第一多晶硅栅、第二N+注入区、第二多晶硅栅、第三N+注入区构成双栅MOSFET场效应管结构。