[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810052485.7 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN109509725B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 筑山慧至;青木秀夫 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够稳定地形成TSV的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：器件区域，被树脂膜覆盖；和切割区域，围绕器件区域而设置，具有第1光刻用标记和第2光刻用标记，在第1光刻用标记与第2光刻用标记之间设置有树脂膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于：具备：器件区域，被树脂膜覆盖；和切割区域，围绕所述器件区域而设置，具有第1光刻用标记和第2光刻用标记，在所述第1光刻用标记与所述第2光刻用标记之间设置有所述树脂膜。
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