[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810052485.7 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN109509725B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 筑山慧至;青木秀夫 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
本发明提供一种能够稳定地形成TSV的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：器件区域，被树脂膜覆盖；和切割区域，围绕器件区域而设置，具有第1光刻用标记和第2光刻用标记，在第1光刻用标记与第2光刻用标记之间设置有树脂膜。
本申请案享有以日本专利申请案2017-178416号(申请日：2017年9月15日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种半导体装置。
背景技术
存在积层多个半导体芯片而具备三维构造的半导体装置。通过形成为三维构造，而能够实现半导体装置的小型化及高密度化。上下积层的半导体芯片彼此例如通过设置在半导体芯片内的TSV(Through Silicon Via，硅通孔)而电连接。
TSV例如在将半导体芯片单片化前，以晶片级形成。为了以低成本实现具备三维构造的半导体装置，期望在半导体芯片中稳定地形成TSV。
发明内容
本发明提供一种能够稳定地形成TSV的半导体装置。
实施方式的半导体装置具备：器件区域，被树脂膜覆盖；和切割区域，围绕所述器件区域而设置，具有第1光刻用标记和第2光刻用标记，在所述第1光刻用标记与所述第2光刻用标记之间设置有所述树脂膜。
附图说明
图1是第1实施方式的半导体装置的示意俯视图。
图2是第1实施方式的半导体装置的一部分的放大示意俯视图。
图3(a)及(b)是第1实施方式的半导体装置的一部分的放大示意剖视图。
图4是第1实施方式的半导体装置的一部分的放大示意俯视图。
图5是第1实施方式的半导体装置的一部分的放大示意剖视图。
图6是表示第1实施方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。
图7是表示第1实施方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。
图8是表示第1实施方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。
图9是表示第1实施方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。
图10是表示第1实施方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。
图11是表示第1实施方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。
图12是表示第1实施方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。
图13是表示第1实施方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。
图14是表示第1实施方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。
图15是表示第1实施方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。
图16是比较方式的半导体装置的示意俯视图。
图17是比较方式的半导体装置的一部分的放大示意俯视图。
图18是比较方式的半导体装置的一部分的放大示意俯视图。
图19是比较方式的半导体装置的一部分的放大示意剖视图。
图20是表示比较方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。
图21是第2实施方式的半导体装置的示意俯视图。
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