[发明专利]半导体器件和电子器件有效
| 申请号： | 201810048763.1 | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN108110023B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 清水完;井上启司 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈睆;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件和电子器件。半导体器件包括：第一半导体晶片，包括光电转换部；第二半导体晶片，包括逻辑电路和第二配线，其中，所述第二半导体晶片与所述第一半导体晶片贴合；第一导电部，在第一接触区域处连接到所述第一半导体晶片的第一配线；以及第二导电部，在第二接触区域处连接到所述第二半导体晶片的所述第二配线；其中，所述第一配线通过所述第一导电部和所述第二导电部电连接到所述第二配线，其中，所述第二接触区域包括合金，并且所述第一接触区域没有合金，其中，所述第一导电部和所述第二导电部中的至少一者的直径为1至5微米，并且其中，所述半导体器件是CMOS成像器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体晶片 导电部 配线 半导体器件 接触区域 电子器件 合金 光电转换部 电连接 贴合 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：第一半导体晶片，所述第一半导体晶片包括光电转换部；第二半导体晶片，所述第二半导体晶片包括逻辑电路和第二配线，其中，所述第二半导体晶片与所述第一半导体晶片贴合；第一导电部，所述第一导电部在第一接触区域处连接到所述第一半导体晶片的第一配线；以及第二导电部，所述第二导电部在第二接触区域处连接到所述第二半导体晶片的所述第二配线；其中，所述第一配线通过所述第一导电部和所述第二导电部电连接到所述第二配线，其中，所述第二接触区域包括合金，并且所述第一接触区域没有合金，其中，所述第一导电部和所述第二导电部中的至少一者的直径为1至5微米，并且其中，所述半导体器件是CMOS成像器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
