[发明专利]半导体器件和电子器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

第一半导体晶片，所述第一半导体晶片包括光电转换部；

第二半导体晶片，所述第二半导体晶片包括逻辑电路和第二配线，

其中，所述第二半导体晶片与所述第一半导体晶片贴合；

第一导电部，所述第一导电部在第一接触区域处连接到所述第一半导体晶片的第一配线；以及

第二导电部，所述第二导电部在第二接触区域处连接到所述第二半导体晶片的所述第二配线；

其中，所述第一配线通过所述第一导电部和所述第二导电部电连接到所述第二配线，

其中，所述第二接触区域包括合金，并且所述第一接触区域没有合金，

其中，所述第一导电部和所述第二导电部中的至少一者的直径为1至5微米，并且

其中，所述半导体器件是CMOS成像器件。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一配线为铜。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二配线为铝。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二配线为铝，并且其中所述合金为CuAl合金。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体晶片为薄膜。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第一膜，所述第一膜设置在所述第一半导体晶片上，其中，所述第一导电部贯通所述第一膜和所述第一半导体晶片至所述第一配线。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

接合面，所述接合面设置在所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片之间，其中，所述第二导电部贯通所述接合面和所述第二半导体晶片至所述第二配线。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

绝缘膜，所述绝缘膜形成在所述第一导电部的内壁上和所述第二导电部的内壁上。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电部和所述第二导电部中的至少一者的深度为3至15微米。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电部的深度小于所述第二导电部的深度。

11.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二导电部的直径为1至5微米，其中，所述合金为CuAl合金，并且其中所述CuAl合金的至少一部分在所述1至5微米的直径内扩散到所述第二导电部中。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电部包括铜，并且所述第二配线包括铝。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第一导电部包括铜，并且所述第一配线包括铜。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电部包括铜，所述第二配线包括铝，并且所述第二接触区域包括CuAl合金。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电部的直径为1至5微米，所述第二导电部的深度为3至15微米，所述第二导电部包括铜，并且所述第二配线包括铝。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第二接触区域包括CuAl合金。

17.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述合金扩散到所述第二导电部的内部。

18.根据权利要求17所述的半导体器件，进一步包括：

反应部，所述反应部从所述第二配线的顶面扩散到所述第二配线的内部。