[发明专利]一种新型光伏电池及其制造方法在审
申请号: | 201810047476.9 | 申请日: | 2018-01-18 |
公开(公告)号: | CN108281498A | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 刘文富;李建功;胡靖宇;王银玲;叶苗;陈洪涛;王其华;赵严峰;衡耀付 | 申请(专利权)人: | 黄淮学院 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/0264;H01L31/18 |
代理公司: | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人: | 韩晓娟 |
地址: | 463000 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了太阳能技术领域的一种新型光伏电池及其制造方法,包括:碳纳米管层,其沉积在单晶硅衬底的顶部;二氧化硅隔离层,其热氧化生长在碳纳米管层的表面;电极柱,对称焊接在二氧化硅隔离层的左右两端;背电极,包覆在单晶硅衬底的底部,本发明通过碳纳米管的使用,为光伏电池提供了强的背面场和高的导电率,增大了石墨与硅的接触面积,有利于提高光伏电池的效率,能够使光照的反射率大幅度降低,其制备工艺简单,制造成本低,适合大范围的推广使用。 | ||
搜索关键词: | 光伏电池 二氧化硅隔离层 单晶硅 碳纳米管层 衬底 太阳能技术领域 热氧化生长 对称焊接 碳纳米管 制备工艺 制造成本 石墨 背电极 背面场 导电率 电极柱 反射率 包覆 沉积 光照 制造 | ||
【主权项】:
1.一种新型光伏电池,其特征在于:包括:碳纳米管层(2),其沉积在单晶硅衬底(1)的顶部;二氧化硅隔离层(3),其热氧化生长在碳纳米管层(2)的表面;电极柱(5),对称焊接在二氧化硅隔离层(3)的左右两端;背电极(4),包覆在单晶硅衬底(1)的底部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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