[发明专利]一种新型光伏电池及其制造方法在审
申请号: | 201810047476.9 | 申请日: | 2018-01-18 |
公开(公告)号: | CN108281498A | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 刘文富;李建功;胡靖宇;王银玲;叶苗;陈洪涛;王其华;赵严峰;衡耀付 | 申请(专利权)人: | 黄淮学院 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/0264;H01L31/18 |
代理公司: | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人: | 韩晓娟 |
地址: | 463000 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光伏电池 二氧化硅隔离层 单晶硅 碳纳米管层 衬底 太阳能技术领域 热氧化生长 对称焊接 碳纳米管 制备工艺 制造成本 石墨 背电极 背面场 导电率 电极柱 反射率 包覆 沉积 光照 制造 | ||
1.一种新型光伏电池,其特征在于:包括:
碳纳米管层(2),其沉积在单晶硅衬底(1)的顶部;
二氧化硅隔离层(3),其热氧化生长在碳纳米管层(2)的表面;
电极柱(5),对称焊接在二氧化硅隔离层(3)的左右两端;
背电极(4),包覆在单晶硅衬底(1)的底部。
2.根据权利要求1所述的一种新型光伏电池,其特征在于:所述单晶硅衬底(1)的表面均匀包覆有透明导电氧化物层,且单晶硅衬底(1)的厚度为5~20μm。
3.根据权利要求1所述的一种新型光伏电池,其特征在于:所述碳纳米管层(2)的内腔均匀排列有碳纳米管,且碳纳米管层(2)的厚度为3~10μm。
4.一种新型光伏电池的制造方法,其特征在于:该方法的具体步骤如下:
S1:取阳极直径8mm,阴极直径14mm的石墨棒,在石墨棒阳极端部钻孔,孔内填充金属混合物和石墨粉末,抽真空后,通入惰性气体,接通电源,放电4~6min后制得单壁碳纳米管;
S2:将单壁碳纳米管溅射到单晶硅衬底(1)上,形成碳纳米管层(2);
S3:湿法蚀刻单晶硅衬底(1)背部氧化层,在其氧化层上通过电子束蒸发金属作为背电极(4);
S4:在碳纳米管层(2)上通过热氧化生长二氧化硅,作为二氧化硅隔离层(3);
S5:将缓冲材料沉积到氧化锌纳米棒上,并焊接在二氧化硅隔离层(3)的左右两端,使之形成电极柱(5)。
5.根据权利要求4所述的一种新型光伏电池的制造方法,其特征在于:所述步骤S1中,金属混合物为金属镍和金属钇的混合物,其中金属镍:金属钇=1.6:0.6。
6.根据权利要求4所述的一种新型光伏电池的制造方法,其特征在于:所述步骤S1中,惰性气体为氦气、氩气、氮气和氢气中的一种。
7.根据权利要求4所述的一种新型光伏电池的制造方法,其特征在于:所述步骤S1中,在通入惰性气体时,气体压力不低于14000Pa。
8.根据权利要求4所述的一种新型光伏电池的制造方法,其特征在于:所述步骤S1中,接通电源后,电流控制在90~100A,并保持石墨棒两极的电压为30V。
9.根据权利要求4所述的一种新型光伏电池的制造方法,其特征在于:所述步骤S5中,缓冲材料为二氧化钛、硫化铟和硫化锌中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的