[发明专利]提高钙钛矿器件稳定性的方法在审
| 申请号： | 201810046792.4 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN110061133A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 刘洪;沈文忠;王新伟;李正平;王鑫 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王毓理;王锡麟 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种提高钙钛矿器件稳定性的方法，通过在含有钙钛矿薄膜的光电器件中设置金属热反射层，通过降低温度梯度以减少其导致的离子迁移过程，从而提高钙钛矿器件的稳定性。本发明能够大幅度提高钙钛矿电池稳定性，制造更实用化的太阳电池等光电器件。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 器件稳定性 光电器件 金属热反射层 离子迁移过程 电池稳定性 钙钛矿薄膜 温度梯度 制造 | ||
【主权项】：
1.一种提高钙钛矿器件稳定性的方法，其特征在于，通过在含有钙钛矿薄膜的光电器件中设置金属热反射层，通过降低温度梯度以减少其导致的离子迁移过程，从而提高钙钛矿器件的稳定性；所述的金属热反射层设置于与光电器件中与光入射面相对的一侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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