[发明专利]提高钙钛矿器件稳定性的方法在审

专利信息
申请号: 201810046792.4 申请日: 2018-01-18
公开(公告)号: CN110061133A 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: 刘洪;沈文忠;王新伟;李正平;王鑫 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 上海交达专利事务所 31201 代理人: 王毓理;王锡麟
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 钙钛矿 器件稳定性 光电器件 金属热反射层 离子迁移过程 电池稳定性 钙钛矿薄膜 温度梯度 制造
【权利要求书】:

1.一种提高钙钛矿器件稳定性的方法,其特征在于,通过在含有钙钛矿薄膜的光电器件中设置金属热反射层,通过降低温度梯度以减少其导致的离子迁移过程,从而提高钙钛矿器件的稳定性;

所述的金属热反射层设置于与光电器件中与光入射面相对的一侧。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征是,所述的钙钛矿薄膜为CH3NH3PbI3或CH(NH2)2PbI3,该薄膜通过在导电层上采用旋涂法制备得到。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征是,所述的光电器件为n-i-p结构钙钛矿太阳电池或p-i-n结构钙钛矿太阳电池。

4.一种含有钙钛矿薄膜的高稳定性光电器件,其特征在于,为n-i-p结构钙钛矿太阳电池,其结构依次包括:导电层、电子传导层、钙钛矿薄膜、空穴传导层、上电极,或p-i-n结构钙钛矿太阳电池,其结构依次包括:导电层、空穴传导层、钙钛矿薄膜、电子传导层、上电极,其中:n-i-p结构钙钛矿太阳电池的钙钛矿薄膜/传导层上方或p-i-n结构钙钛矿太阳电池的电子传导层/上电极的上方设有金属热反射层;

所述的稳定性是指:在有温度梯度下的随时间稳定性。

5.根据权利要求4所述的光电器件,其特征是,所述的金属热反射层为铝箔或蒸镀得到的铝热反射层。

6.根据权利要求4所述的光电器件,其特征是,所述的钙钛矿薄膜的厚度为10-1000nm。

7.根据权利要求4所述的光电器件,其特征是,所述的导电层为导电FTO玻璃;所述的电子传导层为氧化锌、氧化钛或PCBM;所述的空穴传输层为Spiro-MeoTAD、PSS:PEDOT或NiOx

8.一种热反射层在钙钛矿器件中的应用,其特征在于,通过在含钙钛矿器件的背电极上方植入热反射层,提高所述器件在有温度梯度下的随时间稳定性。

9.根据权利要求8所述的应用,其特征是,所述的植入,采用在背电极上方与封装外壳之间机械固定、在背电极上方及封装外壳之外采用机械固定或镀膜的方式实现。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810046792.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top