[发明专利]提高钙钛矿器件稳定性的方法在审
| 申请号: | 201810046792.4 | 申请日: | 2018-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN110061133A | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
| 发明(设计)人: | 刘洪;沈文忠;王新伟;李正平;王鑫 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王毓理;王锡麟 |
| 地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 钙钛矿 器件稳定性 光电器件 金属热反射层 离子迁移过程 电池稳定性 钙钛矿薄膜 温度梯度 制造 | ||
1.一种提高钙钛矿器件稳定性的方法,其特征在于,通过在含有钙钛矿薄膜的光电器件中设置金属热反射层,通过降低温度梯度以减少其导致的离子迁移过程,从而提高钙钛矿器件的稳定性;
所述的金属热反射层设置于与光电器件中与光入射面相对的一侧。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征是,所述的钙钛矿薄膜为CH3NH3PbI3或CH(NH2)2PbI3,该薄膜通过在导电层上采用旋涂法制备得到。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征是,所述的光电器件为n-i-p结构钙钛矿太阳电池或p-i-n结构钙钛矿太阳电池。
4.一种含有钙钛矿薄膜的高稳定性光电器件,其特征在于,为n-i-p结构钙钛矿太阳电池,其结构依次包括:导电层、电子传导层、钙钛矿薄膜、空穴传导层、上电极,或p-i-n结构钙钛矿太阳电池,其结构依次包括:导电层、空穴传导层、钙钛矿薄膜、电子传导层、上电极,其中:n-i-p结构钙钛矿太阳电池的钙钛矿薄膜/传导层上方或p-i-n结构钙钛矿太阳电池的电子传导层/上电极的上方设有金属热反射层;
所述的稳定性是指:在有温度梯度下的随时间稳定性。
5.根据权利要求4所述的光电器件,其特征是,所述的金属热反射层为铝箔或蒸镀得到的铝热反射层。
6.根据权利要求4所述的光电器件,其特征是,所述的钙钛矿薄膜的厚度为10-1000nm。
7.根据权利要求4所述的光电器件,其特征是,所述的导电层为导电FTO玻璃;所述的电子传导层为氧化锌、氧化钛或PCBM;所述的空穴传输层为Spiro-MeoTAD、PSS:PEDOT或NiOx。
8.一种热反射层在钙钛矿器件中的应用,其特征在于,通过在含钙钛矿器件的背电极上方植入热反射层,提高所述器件在有温度梯度下的随时间稳定性。
9.根据权利要求8所述的应用,其特征是,所述的植入,采用在背电极上方与封装外壳之间机械固定、在背电极上方及封装外壳之外采用机械固定或镀膜的方式实现。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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