[发明专利]一种高导电、高振实密度、高比表面积微孔炭的制备方法有效
| 申请号： | 201810044728.2 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108178141B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 陆安慧;董晓玲;李文翠 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C01B32/05 | 分类号： | C01B32/05;C01B32/205 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪;侯明远 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高导电、高振实密度、高比表面积微孔炭的制备方法，所制备材料可用于超级电容器，但并不限制其在分子吸附、变压吸附分离、膜分离等领域的应用。将炭源与铜盐混合均匀，高温热处理过程中，铜盐被原位还原成低熔点CuCl及单质铜，利用CuCl的模板作用造孔及铜的催化石墨化作用提高材料导电性。此外，金属铜本身就是良好的电子导体，炭材料中残留部分铜一方面能提高材料导电性，另一方面在不影响孔结构的同时提高材料振实密度。所述制备方法操作简单，易于在工业上实施和大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 高振实 密度 表面积 微孔 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高导电、高振实密度、高比表面积微孔炭的制备方法，其特征在于，步骤如下：将炭前驱体与铜盐混合，将所得混合物在惰性气氛下，经热处理、酸洗后得到高比表面积、高振实密度、高导电性微孔炭。
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