[发明专利]一种电容及其制作方法、半导体设备在审
| 申请号： | 201810044659.5 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108281414A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 杨玉杰;丁培军;夏威;郑金果;王宽冒;杨敬山;蒋秉轩;谢谦 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电容、制作方法及半导体设备。该电容包括上电极、下电极和电介质层，所述电介质层设置于所述上电极和所述下电极之间，所述上电极和所述下电极均包括一层相同的金属层。该电容结构简单，简化了制作流程，而且具有较好的电极特性。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 电容 下电极 半导体设备 电介质层 制作 电极特性 电容结构 金属层 | ||
【主权项】：
1.一种电容，包括上电极、下电极和电介质层，所述电介质层设置于所述上电极和所述下电极之间，其特征在于，所述上电极和所述下电极均包括一层材质相同的金属层。
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