[发明专利]一种电容及其制作方法、半导体设备

权利要求书

1.一种电容，包括上电极、下电极和电介质层，所述电介质层设置于所述上电极和所述下电极之间，其特征在于，所述上电极和所述下电极均包括一层材质相同的金属层。

2.根据权利要求1所述的电容，其特征在于，所述金属层包括Al、Au、Ti或Cu中的一种。

3.根据权利要求2所述的电容，其特征在于，所述上电极和所述下电极均采用物理气相沉积工艺获得。

4.根据权利要求2所述的电容，其特征在于，所述上电极和所述下电极的厚度范围均为50-500nm。

5.根据权利要求4所述的电容，其特征在于，所述上电极和所述下电极的厚度范围均为100-300nm。

6.根据权利要求1所述的电容，其特征在于，所述电介质层包括Al₂O₃层、TiO₂层和HfO₄层中的一种。

7.根据权利要求6所述的电容，其特征在于，所述电介质层的厚度范围为5-15nm。

8.根据权利要求1所述的电容，其特征在于，所述电容为高密电容。

9.根据权利要求1所述的电容，其特征在于，所述电容为高密沟槽电容。

10.一种半导体设备，其特征在于，用于制备如权利要求1-9任意所述的电容，包括：PVD腔室、ALD腔室和传输平台，其中，

所述PVD腔室和所述ALD腔室均与所述传输平台相连通；

所述PVD腔室用于在基底上沉积所述上电极和所述下电极；

所述ALD腔室用于在基底上沉积所述电介质层；

所述传输平台用于传输基底。

11.根据权利要求10所述的半导体设备，其特征在于，还包括去气腔室，与所述传输平台相连，所述去气腔室用进行去气工艺和退火工艺。

12.根据权利要求10所述的半导体设备，其特征在于，还包括预清洗腔室，与所述传输平台相连，所述预清洗腔室用于去除基片表面的杂质。

13.根据权利要求10所述的半导体设备，其特征在于，所述PVD腔室的数量为多个，多个所述PVD腔室用于沉积所述金属层。

14.根据权利要求10所述的半导体设备，其特征在于，在所述PVD腔室中，靶基距大于90mm。

15.根据权利要求14所述的半导体设备，其特征在于，所述靶基距的取值范围为200-410mm。

16.一种电容制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，通过物理气相沉积工艺在基底的表面形成下电极；

步骤二，通过原子层沉积工艺在所述下电极的表面形成电介质层；

步骤三，通过物理气相沉积工艺在所述电介质层的表面形成上电极；

其中，所述上电极和所述下电极均包括一层材质相同的金属层。

17.根据权利要求16所述电容的制作方法，其特征在于，所述金属层包括Al、Au、Ti或Cu中的一种。

18.根据权利要求16所述电容的制作方法，其特征在于，在所述步骤三中，工艺压力范围为0-2mTorr，溅射功率范围为30-38kW，偏压射频功率范围为400-1000W。