[发明专利]高频电路中对称的抗辐射锁存器

摘要

本发明公开了高频电路中对称的抗辐射锁存器，涉及电路领域，包括：输入节点D、反相器INV1、传输门TG1、C单元构成的反馈回路、反相器INV4和输出信号Q按顺序连接形成一条通路，经过通路形成对称的D‑M‑E回路和D‑N‑E回路；D‑M‑E回路包括PMOS管并经过节点M，节点M与PMOS管漏极或源极连接并控制NMOS管MN3和PMOS管MP4的通断；D‑N‑E回路包括NMOS管并经过节点N，节点N与NMOS管漏极或源极连接并控制PMOS管MP2和NMOS管MN4的通断；输出信号Q通过自身反馈回路控制PMOS管MP3和NMOS管MN2的通断。优点在于：传输延迟低、面积开销较小、功耗较低。

主权项

高频电路中对称的抗辐射锁存器，其特征在于，包括：输入节点D、第一反相器INV1、传输门TG1、C单元构成的反馈回路、第四反相器INV4和输出信号Q、第二PMOS管MP2、第二NMOS管MN2、第三PMOS管MP3、第三NMOS管MN3、第四PMOS管MP4、第四NMOS管MN4；将所述输入节点D、所述第一反相器INV1、所述传输门TG1、所述C单元构成的反馈回路、所述第四反相器INV4和所述输出信号Q按照顺序进行连接并形成一条通路，经过所述通路形成对称的D‑M‑E回路和D‑N‑E回路，节点E是C单元构成的反馈回路的输出端；所述D‑M‑E回路包括至少一个PMOS管并经过节点M，所述节点M与所述D‑M‑E回路中的PMOS管漏极或源极连接并控制所述第三NMOS管MN3的通断和所述第四PMOS管MP4的通断；所述D‑N‑E回路包括至少一个NMOS管并经过节点N，所述节点N与所述D‑N‑E回路中的NMOS管漏极或源极连接并控制第二PMOS管MP2的通断和所述第四NMOS管MN4的通断；所述输出信号Q通过自身反馈回路控制所述第三PMOS管MP3和所述第二NMOS管MN2的通断。