[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810029456.9 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN109003955B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 李起洪 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：层叠结构；沟道层，其穿过层叠结构；阱板，其位于层叠结构下方；源极层，其位于层叠结构和阱板之间；连接结构，其将沟道层彼此联接，并且包括接触源极层的第一触点和接触阱板的第二触点；以及隔离图案，其将源极层和阱板彼此绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：层叠结构；沟道层，所述沟道层穿过所述层叠结构；阱板，该阱板位于所述层叠结构下方；源极层，该源极层位于所述层叠结构和所述阱板之间；连接结构，该连接结构将所述沟道层彼此联接，并且该连接结构包括接触所述源极层的第一触点和接触所述阱板的第二触点；以及隔离图案，该隔离图案将所述源极层和所述阱板彼此绝缘。
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