[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

层叠结构；

沟道层，所述沟道层穿过所述层叠结构；

阱板，该阱板位于所述层叠结构下方；

源极层，该源极层位于所述层叠结构和所述阱板之间；

连接结构，该连接结构将所述沟道层彼此联接，并且该连接结构包括接触所述源极层的第一触点和接触所述阱板的第二触点；以及

隔离图案，该隔离图案将连接到每个所述沟道层的所述源极层和连接到每个所述沟道层的所述阱板彼此绝缘。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述隔离图案被插置在所述阱板和所述源极层之间。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述连接结构在读操作期间提供从所述沟道层经由所述第一触点到所述源极层的电流路径。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述连接结构在擦除操作期间提供从所述阱板经由所述第二触点到所述沟道层的空穴移动路径。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括穿过所述层叠结构并电联接到所述源极层的源极拾取线。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述源极层包括：

第一源极层，该第一源极层接触所述第一触点；以及

第二源极层，该第二源极层将所述第一源极层电联接到所述源极拾取线。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，该半导体装置还包括包围所述源极拾取线的侧壁的绝缘间隔物。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，该半导体装置还包括插置在所述源极拾取线和所述源极层之间的结。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述隔离图案包括：

第一区域，该第一区域沿着所述阱板的表面延伸；以及

第二区域，该第二区域联接到所述第一区域并在所述连接结构的侧壁上延伸。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述隔离图案的所述第二区域被插置在所述第一触点和所述第二触点之间。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述隔离图案包括：

第一区域，该第一区域沿着所述阱板的表面延伸；以及

第二区域，该第二区域与所述第一区域间隔开并接触所述连接结构的间隙填充绝缘层的侧壁。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括存储器层，该存储器层包围所述沟道层和所述连接结构并且包括暴露所述第一触点和所述第二触点的开口。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述连接结构包括：

联接图案，该联接图案将所述沟道层彼此联接；

第一接触图案，该第一接触图案将所述联接图案连接到所述源极层；

第二接触图案，该第二接触图案将所述联接图案连接到所述阱板；以及

间隙填充绝缘层，该间隙填充绝缘层位于所述联接图案中。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述隔离图案接触在所述第一接触图案和所述第二接触图案之间暴露的所述间隙填充绝缘层。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述层叠结构包括彼此交替地层叠的导电层和绝缘层。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，所述连接结构朝着所述层叠结构的内侧突出并且与所述导电层当中的至少一个最下方的导电层交叠。