[发明专利]生长在铝箔衬底上的氮化铟纳米柱外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810027240.9 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108206130B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 高芳亮;李国强;张曙光;温雷 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/32;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈智英 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明属于氮化物半导体器件技术领域，公开了生长在铝箔衬底上的氮化铟纳米柱外延片及其制备方法。生长在铝箔衬底上的InN纳米柱外延片，由下至上依次包括铝箔衬底、非晶态氧化铝层、AlN层和InN纳米柱层。方法：(1)将表面氧化的铝箔预处理，原位退火；(2)采用分子束外延生长工艺，衬底温度为400～700℃，反应室压力为4.0～10.0×10 |
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| 搜索关键词： | 生长 铝箔 衬底 氮化 纳米 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.生长在铝箔衬底上的InN纳米柱外延片，其特征在于：由下至上依次包括铝箔衬底、非晶态氧化铝层、AlN层和InN纳米柱层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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